半导体认识实习报告

半导体认识实习报告（精选10篇）

半导体认识实习报告 第1篇

电子信息材料专业实习报告

电子信息材料是指在微电子、光电子技术和新型电子元器件领域中所用的材料，主要包括微电子材料、光电子材料、传感材料、磁性材料、电子陶瓷材料等，它们支撑着通信、计算机、信息家电和网络技术等现代信息产业及航空、航天、精确制导、灵巧武器等领域的发展。

电子信息材料是发展电子信息产业的先导和基础。以单晶硅为代表的第一代半导体材料是集成电路产业的基础。1948年发明了晶体管，1960年集成电路问世，1962年出现第一代半导体激光器，导致了电子技术、光电子技术革命，产生了半导体微电子学与半导体光电子学，有力地推动了计算机、通讯技术发生根本改变。

光电子技术是现代信息技术的基石，21世纪是光电子时代。以砷化镓、磷化铟等化合物为代表的第二代半导体材料是新型激光器和光探测器用材料。半导体发光二极管的出现，其意义不亚于爱迪生发明白炽灯。半导体灯小巧可靠、寿命长，驱动电压低，发光效率高。它可以发出赤橙黄绿青蓝紫等的全彩色光和白色，它占尽了照明灯、指示灯的全部优点。半导体光照明的主体材料主要是第二代、第三代半导体材料，特别是第三代半导体材料氮化镓，它是唯一能发出蓝光和白光的材料。

磁性材料、电子陶瓷材料广泛应用于计算机、通信、航空等各个领域，是新型器件的基础材料。

（一）半导体材料（semiconductor material）

导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电导率在10（U-3）～10（U-9）欧姆/厘米范围内。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感，在半导体材料中掺入少量杂质可以控制这类材料的电导率。正是利用半导体材料的这些性质，才制造出功能多样的半导体器件。半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。

特性和参数 半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度很高的半导体材料称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。在高纯半导体材料中掺入适当杂质后，由于杂质原子提供导电载流子，使材料的电阻率大为降低。这种掺杂半导体常称为杂质半导体。杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体，靠价带空穴导电的称P型半导体。不同类型半导体间接触（构成PN结）或半导体与金属接触时，因电子（或空穴）浓度差而产生扩散，在接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性。利用PN结的单向导电性，可以制成具有不同功能的半导体器件，如二极管、三极管、晶闸管等。此外，半导体材料的导电性对外界条件（如热、光、电、磁等因素）的变化非常敏感，据此可以制造各种敏感元件，用于信息转换。

种类 常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。用硅制造的半导体器件，耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件。因此，硅已成为应用最多的一种增导体材料，目前的集成电路大多数是用硅材料制造的。化合物半导体由两种或两种以上的元素化合而成的半导体材料。它的种类很多，重要的有砷化

镓、磷化锢、锑化锢、碳化硅、硫化镉及镓砷硅等。其中砷化镓是制造微波器件和集成电的重要材料。碳化硅由于其抗辐射能力强、耐高温和化学稳定性好，在航天技术领域有着广泛的应用。

制备 不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，称为物理提纯；另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80％的硅单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300 毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。工业生产使用的主要是化

学气相外延，其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。

（二）磁性材料

磁性材料，主要是指由过度元素铁,钴,镍及其合金等能够直接或间接产生磁性的物质。从应用功能上讲，磁性材料分为：软磁材料、永磁材料、磁记录-矩磁材料、旋磁材料等等种类。软磁材料、永磁材料、磁记录-矩磁材料中既有金属材料又有铁氧体材料。磁性材料的应用很广泛，变压器磁性材料是生产、生活、国防科学技术中广泛使用的材料。如制造电力技术中的各种电机、变压器，电子技术中的各种磁性元件和微波电子管，通信技术中的滤波器和增感器，国防技术中的磁性水雷、电磁炮，各种家用电器等。此外，磁性材料在地矿探测、海洋探测以及信息、能源、生物、空间新技术中也获得了广泛的应用。磁性材料的用途广泛。主要是利用其各种磁特性和特殊效应制成元件或器件；用于存储、传输和转换电磁能量与信息，或在特定空间产生一定强度和分布的磁场；有时也以材料的自然形态而直接利用(如磁性液体)。磁性材料在电子技术领域和其他科学技术领域中都有重要的作用，可用于电声、电信、电表、电机中，还可作记忆元件、微波元件等。可用于记录语言、音乐、图像信息的磁带、计算机的磁性存储设备、乘客乘车的凭证和票价结算的磁性卡等。

软磁材料指在较弱的磁场下，易磁化也易退磁的一种铁氧体材料。软磁材料，它的功能主要是导磁、电磁能量的转换与传输。软磁材料的应用

甚广，主要用于磁性天线、电感器、变压器、磁头、耳机、继电器、振动子、电视偏转轭、电缆、延迟线、传感器、微波吸收材料、电磁铁、加速器高频加速腔、磁场探头、磁性基片、磁场屏蔽、高频淬火聚能、电磁吸盘、磁敏元件(如磁热材料作开关)等。主要用作各种电感元件，如滤波器、变压器及天线的磁性和磁带录音、录像的磁头。

永磁材料有合金、铁氧体和金属间化合物三类。永磁材料有多种用途。①基于电磁力作用原理的应用主要有：扬声器、话筒、电表、按键、电机、继电器、传感器、开关等。②基于磁电作用原理的应用主要有：磁控管和行波管等微波电子管、显像管、钛泵、微波铁氧体器件、磁阻器件、霍尔器件等。③基于磁力作用原理的应用主要有：磁轴承、选矿机、磁力分离器、磁性吸盘、磁密封、磁黑板、玩具、标牌、密码锁、复印机、控温计等。其他方面的应用还有：磁疗、磁化水、磁麻醉等。永磁铁氧体晶体典型代表是钡铁氧体BaFe12O19。这种材料性能较好，成本较低，不仅可用作电讯器件如录音器、电话机及各种仪表的磁铁，而已在医学、生物和印刷显示等方面也得到了应用。

矩磁材料和磁记录材料，主要用作信息记录、无接点开关、逻辑操作和信息放大。这种材料的特点是磁滞回线呈矩形。

通过此次专业认识实习，不仅明白了以上的专业内容，还意识到了自己肩上的重大责任，在以后的专业学习过程中，一定不辜负老师的殷殷期望，努力学习，把有限的生命投入到无限的电子信息材料事业的奋斗中去。

半导体认识实习报告 第2篇

实习是每一个大学毕业生必须拥有的一段经历，他使我们在实践中了解社会，让我们学到了很多在课堂上根本就学不到的知识，也打开了视野，长了见识，为我们以后进一步走向社会打下坚实的基础。实习使我开拓了视野，实习是我们把学到的理论知识应用在实践中的一次尝试。实习时把自己所学的理论知识用于实践，让理论知识更好的与实践相结合，在这结合的时候就是我们学以致用的时候，并且是我们扩展自己充实自己的时候。

实习期间，我利用此次难得的机会，努力工作，严格要求自己，遇到不懂的问题就虚心地向师傅们请教，搞清原理，找到方法，然后再总结经验，让自己能很快融入到工作中去，更好更快的完成任务。同时我也利用其他时间参考一些书籍、搜索一些材料来完善自己对策划管理工作的认识，这也让我收获颇多，让我在应对工作方面更加得心应手。

矽格公司是在1997年经历千辛万苦独立出来自主经营的公司，已经有十三多年的发展历史，以成为集研制、生产、销售、技术培训于一体，拥有高精度电脑控制机械加工中心等全套加工设备的大型专业包装设备制造厂。目前主要生产驱动类集成ic与光电鼠标等，产品包括：自动和半自动轮转循环，机械有d/b与w/b，这些机械都是日本、美国高科技的技术。具有高精度、高效率、先进的自动模切机、dbing机、wbing机等。

该半导体厂的组织机构设置很简练。主要是总经理——副总经理——主管管理各个部门。由于矽格公司的设备很先进，在生产线上不会像往常的工厂那样满布工人，主要是某三五个人负责工作流程。这对我了解该工厂的生产流程提供了方便。

该厂生产的ic依据季节可以算得上的需求稳定，是属于定单供货型的生产。由于产品的质量要求和技术含量要求都很高，因此，生产周期也比较长，单次产品需求的数量也不大。同时，每台产品的价格非常昂贵，在万元以上。生产部门主要包括，采购，技术，生产，供应。我被安排在技术生产部工作。但其工作并不是坐在办公室悠闲地搞技术，而是跟住生产随时跑，没得座，出现问题就及时解决。

实习期间，刚好该厂正是定单最鼎盛时候，也就是历年来定单最多的一年，生产进行得如火如荼。我在跟随生产部门工作的时候，方才发现，生产这部门，在企业中极其重要。它是一个公司的根源，其他的管理基层都是辅助生产高效率生产。

质量是企业的第一信誉，是产品的形象。公司严把质量关，这就掌握了企业的未来。该公司正是怀着这种信念，检验程序相当严格，不合格的产品严格反工甚至对员工、调试工、组长进行罚款等处分。

半导体认识实习报告 第3篇

对于半导体行业,2012年又是充满挑战的一年。在这一年里,经济环境严峻,在市场和最终客户竞争方面出现显著的结构性变化。尽管如此,2012年意法半导体在可持续发展方面取得了不错的成绩,其中包括:

在全球的工厂中实现超过45%的废水循环利用;

绿色能源采购的比例从2011年的4%升至2012年的7.4%;

全球12座制造厂在2012年均符合ISO 14064范围1和范围2排放量规定,获得ISO 14064证书

加强供应链治理和整个供应链内与可持续发展相关的关键业绩指标的执行;

意法半导体的负责任产品收入占2012年新产品收入的30%,同时公司继续努力实现2015年前全部新产品采用生态设计的目标;

半导体激光器的认识与检测 第4篇

【关键词】半导体激光器； 激光制导； 激光雷达

引言

随着社会和科技的发展，半导体激光器在国民经济的各个领域日益发挥着不可替代的作用，而它的可靠性则是完成各项工作的前提条件，再加上人们对产品的要求越来越高，因此半导体激光器的可靠性一直是研究的热点之一。大气监视、空间光通讯也有半导体激光器的身影，这些都在新世纪高科技战争中扮演着不可替代的角色[1]。总之，半导体激光器特别是大功率半导体激光器在国民经济和国防建设中的应用日益广泛，而且在信息光电子领域起着举足轻重的作用。因此，器件本身的可靠性在提升应用系统的性能上就显得至关重要，人们为了提高半导体激光器的性能也在不懈地努力着。

一、半导体激光的类别

半导体激光器的电噪声可以表示为激光器两端电压的起伏，一般属于平稳随机信号。半导体激光器中的电噪声主要有热噪声、散粒噪声、g-r 噪声和 1/f 噪声，[2]热噪声：热噪声是由约翰逊于 1928 年在实验中发现的一种载流子杂乱无章的现象，后研究表明，它的功率谱密度与频率无关，且主要受温度影响，属于白噪声的范畴。一般情况下，实验室中常用的电阻性器件中都含有热噪声，只是不同器件的热噪声源不同。半导体激光器中的热噪声来源于半导体材料中载流子的无规则热运动，这种无规则的热运动引起电流的起伏，表现在电阻性元件的两端就是电压的起伏，比如体电阻、接触电阻和 PN 结的动态电阻两端，一般很难消除。散粒噪声：散粒噪声是 1918 年肖特基于子弹射入靶子时发现的一种噪声，这种噪声存在于大多数的半导体器件中，是由用于形成电流的载流子的分散性造成的，因此又被称作

颗粒噪声或散弹噪声。它的特点是在低中频段，其功率谱密度与频率无关，表现出白噪声特性，而在较高频段，其频谱与频率有关，因此，在中低频范围内，散粒噪声可以视为白噪声。半导体激光器中，散粒噪声主要来源于器件有源区载流子随机跨越 PN 结势垒区[3]而引起的电流起伏。这种噪声是由器件材料的本质特征决定的，无法彻底消除。g-r 噪声半导体材料的表面或内部通常存在着杂质（如重金属杂质）和缺陷（如晶格位错），形成杂质中心和陷阱中心，这些杂质中心和陷阱中心会随机捕获发射载流子，从而引起载流子数目的涨落，由此产生的噪声就是产生-复合噪声，简称 g-r 噪声。对于不同种类的半导体，g-r 噪声的表现也会有所不同。

二、半导体激光的检测

通过采用直接测试法设计并搭建了一个半导体激光器低频噪声测试系统，检测半导体激光器在不同偏置电流下的1/f噪声。实验获取了半导体激光器在不同偏置电流下两端的电压数据，经过处理和分析得到1/f噪声相关性与偏置电流的关系。由于半导体激光器在激发状态下就得考虑增益系数涨落和光子数涨落对1/f噪声的影响了，然后又考虑到半导体材料易受温度影响，而半导体激光器在工作时，如果电流偏大，会引起器件温度的上升，所以本实验重点研究了阈值电流以下的低偏置电流下的1/f噪声。选用的是大功率量子阱半导体激光器，功率为 2W，它的阈值电流在 300 mA 左右。实验采用的是直接测试法测量半导体激光器两端的电压[4]。由于半导体激光器在激发状态下就得考虑光子数涨落对 1/f 噪声的影响了，而且大功率InGaAsP/GaAs量子阱半导体激光器在工作电流偏大时会升温，从而对半导体材料中 PN 结的工作状态造成影响，因此本实验中半导体激光器的输入电流是在阈值电流以下的低偏置电流，测量范围在 10 ～100mA，半导体激光器在不同偏置电流范围的噪声来源不同：在 10～ 400 μA范围内，1/f 噪声主要来源于漏电电阻区；在 400～1000μA范围内，1/f 噪声主要来源于漏电电阻区和有源区的共同作用；在 1000～10000μA范围内，1/f 噪声主要来源于有源区。

三、结语

在研究背景及意义方面，浏览了大量的有关资料，了解了半导体激光器的发展历程、自身所特有的优点以及在国民经济各个领域的应用，明白了研究半导体激光器可靠性的重要性。在理论知识方面，阅读了大量的有关文献，了解了半导体激光器中可能存在的噪声，学习了 1/f 噪声理论和小波变换理论，然后推导了 1/f 噪声的小波变换系数的相关性公式以及相关性和偏置电流的关系，最后从半导体激光器的等效电路出发推导了判断 1/f 噪声来源的理论依据。在实验测试方面，了解了半导体激光器可靠性的检测方法，选用了电噪声测试法，然后量身设计并搭建了半导体激光器噪声直接测试系统，研读仪器的使用方法，然后设置参数，进行实验测试。

参考文献：

[1] 王选择，曾志祥，钟毓宁等. 基于相差识别的半导体激光器温度精密测量与控制[J]. 光电子·激光， 2013， 24（2）：239-244.104（2）： 023301.

[2] 杜磊，庄奕琪，薛丽君. VLSI金属互连线 1/f 噪声指数与电迁移失效[J].电子学报， 2003， 31（2）： 183-185.

[3] 周求湛，刘祥，高健. 基于Gower相似系数的太阳能电池可靠性筛选方法[J].光电子·激光， 2014， 25（2）：207-212.

半导体工艺实习报告 第5篇

从1948年发明了晶体管，1960年集成电路问世，1962年出现第一代半导体激光器到如今21世纪的光电子时代，半导体制造工艺飞速发展着。而作为一名集成电路专业的本科学生，工艺实习无疑成为了我们的常做之事。在刚刚结束的两次半导体工艺实习课上，通过老师的耐心指导，我受益匪浅。 在第一次课程上，我首先见证了沙子的不甘平庸。硅是作为集成电路的基础性材料，而沙子则是提取硅最主要的来源。硅主要是由于它有一下几个特点：原料充分;硅晶体表面易于生长稳定的氧化层，这对于保护硅表面器件或电路的结构、性质很重要;重量轻，密度只有2.33g/cm3;热学特性好，线热膨胀系数小，

2.5*10-6/℃，热导率高，1.50W/cm℃;单晶圆片的缺陷少，直径大，工艺性能好;机械性能良好等。在掌握了硅的优点之后，熟悉了单晶硅的生长。采用熔体生长法制备单晶硅棒：多晶硅熔体硅单晶硅棒。单晶硅的生长原理为：固体状态下原子的排列方式有无规则排列的非晶态，也可以成为规则排列的晶体，其决定

1物

2熔融液体的粘度，粘度表因素有三方面:○质的本质，即原子以哪种方式结合;○

3熔融液体的冷却速度，冷却速度快，到达结晶征流体中发生相对运动的阻力;○

温度原子来不及重新排列就降更低温度，最终到室温时难以重组合成晶体，可以将无规则排列固定下来。

了解硅之后，又见识到了半导体材料的奇特。半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电导率在10(U-3)～10(U-9)欧姆/厘米范围内。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感，在半导体材料中掺入少量杂质可以控制这类材料的电导率。正是利用半导体材料的这些性质，才制造出功能多样的半导体器件。 半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度很高的半导体材料称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。在高纯半导体材料中掺入适当杂质后，由于杂质原子提供导电载流子，使材料的电阻率大为降低。这种掺杂半导体常称为杂质半导体。杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体，靠价带空穴导电的称P型半导体。不同类型半导体间接触(够成PN结)或半导体与金属接触时，因电子(或空穴)浓度差而产生扩散，在接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性。利用PN结的单向导电性，可以制成具有不同功能的半导体器件，如二极管、三极管、晶闸管等。此外，半导体材料的导电性对外界条件(如热、光、电、磁等因素)的变化非常敏感，据此可以制造各种敏感元件，用于信息转换。

在了解完材料之后，老师带领着我们揭开了集成电路基本制造工艺的真正面纱。其基本的工艺步骤为：氧化层生长、热扩散、光刻、离子注入、淀积(蒸发)和刻蚀等步骤。

(一)氧化氧化是在硅片表面生长一层二氧化硅(2iSO)膜的过程。这层膜的作用是：保护和钝化半导体表面：作为杂质选择扩散的掩蔽层;用于电极引线和其下面硅器件之间的绝缘;用作MOS电容和MOS器件栅极的介电层等等。

(二)扩散半导体工艺中扩散是杂质原子从材料表面向内部的运动。和气体在空气中扩散的情况相似，半导体杂质的扩散是在800-1400℃温度范围内进行。从本质上来讲，扩散是微观离子作无规则的热运动的统 计结果。这种运动总是由离子浓度较高的地方向着浓度较低的地方进行，而使得离子得分布逐渐趋于均匀;浓度差别越大，扩散也越快。根据扩散时半导体表面杂质浓度变化的情况来区分，扩散有两类，即无限杂质源扩散(恒定表面源扩散)和有限杂质源扩(有限表面源扩散)。

(三)光刻光刻是一种复印图象和化学腐蚀相接合的综合技术。它先采用照相复印的方法，将事先制好的光刻板上的图象精确地、重复地印在涂有感光胶的2iSO层(或AL层上)，然后利用光刻胶的选择性保护作用对2iSO层(或AL层)进行选择性的化学腐蚀，从而在2iSO层(或AL层)刻出与光刻版相应的图形。

(四)薄膜淀积 淀积是在硅片上淀积各种材料的薄膜，可以采用真空蒸发镀膜、溅射或化学汽相淀积(CVD)等方法淀积薄膜。在真空蒸发淀积时，固体蒸发源材料被放在10-5Torr的真空中有电阻丝加热至蒸发台，蒸发分子撞击到较冷的硅片，在硅片表面冷凝形成约1um厚的固态薄膜。更为先进的电子束蒸发利用高压加速并聚焦的电子束加热蒸发源使之淀积在硅片

表面和离子注入、淀积(在硅片上淀积各种材料的薄膜)、刻蚀(去除无保护层的表面材料的过程)。

第二次课上，通过观擦学长与老师的现场操作，我学习到了如何验证三极管的偏差值。并掌握了三极管的使用与PN节的功率特性曲线等，这对我以后的实验与学习奠定了很好的基础。通过查阅资料和老师讲解，我还了解到了摩尔定律。

摩尔定律是由英特尔(Intel)创始人之一戈登摩尔(Gordon Moore)提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻两倍以上。摩尔定律并非数学、物理定律，而是对发展趋势的一种分析预测，因此，无论是它的文字表述还是定量计算，都应当容许一定的宽裕度。从这个意义上看，摩尔的预言是准确而难能可贵的，所以才会得到业界人士的公认，并产生巨大的反响。这一定律揭示了信息技术进步的速度。尽管这种趋势已经持续了超过半个世纪，摩尔定律仍应该被认为是观测或推测，而不是一个物理或自然法。预计定律将持续到至少或。然而，国际半导体技术发展路线图的更新增长已经放缓在年底，之后的时间里晶体管数量密度预计只会每三年翻一番

“摩尔定律”对整个世界意义深远。在回顾多年来半导体芯片业的进展并展望其未来时，信息技术专家们认为，在以后“摩尔定律”可能还会适用。但随着晶体管电路逐渐接近性能极限，这一定律终将走到尽头。

半导体器件物理实验报告格式 第6篇

《半导体器件实验》

实验报告

实验名称：作者姓名：作者学号：同 作 者：实验日期：

实验报告应包含以下相关内容：

实验名称：

一、实验目的二、实验原理

三、实验内容

四、实验方法

五、实验器材及注意事项

六、实验数据与结果

七、数据分析

八、回答问题

实验报告要求：

1.使用实验报告用纸；

2.每份报告不少于3页手写体，不含封皮和签字后的实验原始数据部分；

3.必须加装实验报告封皮，本文中第一页内容，打印后填写相关信息。

半导体工艺实习心得体会 第7篇

12023110 王宁

这是我们第一次参加工艺实习，这让我不免有些好奇和激动。

记得大一新生研讨课的时候参观过我们的工艺实习间，这次又来，故并没有感到这个工艺间很陌生。说实在的，就在进入工艺间并换好行头后，自己真的有种要兢兢业业干一番事业的感觉了，但在之后的对准练习这个环节，我深深的怀疑了自己的能力。

由于组内男生较多，所以很多体力活他们都主动承担了，特别感谢他们。组长主动担任起最危险的煮王水的这一道工艺，细心的李军和魏行则进入光刻间进行光刻和甩胶的任务。记得我第一次尝试光刻对准这道工序的时候，对的一点都不准，之后对照着老师对准的模版，才把握住这道工艺的要领，笨鸟就要多练习，渐渐的我在练习中也增长了经验。

甩胶这一步，首先是自己不能紧张，手越抖，胶就越不能滴准到吸盘的正中心，也就甩不均匀。而且一定要心细，时刻注意保护光刻胶，不能让它曝光。接着就是扩散的工艺，因为加热设备温度能达到上千度，炉口的温度也很高，所以在送、取硅片的时候都要在高温下保持住平稳，这样硅片才能正正的放进炉中。

对实习“打杂”的再认识 第8篇

这些被人们称为“打杂”的实习工作真的没有意义吗?如果以积极的眼光去看待这些工作,你会发现它们对实习并不是一无是处,其中也隐藏着丰富的职场知识,也可以成为你锻炼能力、积累经验的大好机会。

这些工作之所以被认为是没有意义的,是因为无需专门到一个实习单位,我们在日常生活中就能接触到,简单到让人以为没有什么是需要再学习的。比如说打电话,这是我们经常做的事,没有人说自己不会打电话,但当把它放到职场环境中来,那情况就大不一样了。在职场中打电话不再是很放松的和朋友闲聊,而是成为一项很重要的工作技能,需要你了解其中的礼仪,而不能像平时那样随便,以免触到了禁忌冒犯别人。而且,电话沟通还需要掌握一定的技巧,以便实现快速有效的沟通,进而提升工作的效率。

诸如此类看似简单、普通的工作都是有知识需要学习的,即使你原来看过一些这方面的书籍,知道应该怎样做,但那还只是停留在理论层面,并不能很完美的展示出来,也就是还没有转化为现实工作中的能力。转化需要锻炼的平台和机会,需要不断的练习,实习工作虽然不是很复杂、很专业,但却正好给了你这么一个练习的机会,为什么不充分利用呢。

性质看似和专业没有关系的辅助工作,其中也会蕴含着丰富的专业知识,也能帮助你积累专业方面的经验。整理文件是许多人实习都做过的,好像是无关专业的文秘工作,也不能从中学到什么专业知识,积累什么专业经验,但不要忘了这些文件上写的可都是与这个行业领域有关的文字。可能是整理一份会议纪要,可能是录入一份项目书,这些都可以让你近距离的了解工作是如何完成的,公司企业是在如何运行的,都是些实际工作中鲜活的知识,可能是你在书本上不曾见过的。它们就在你眼前,你却视而不见,只把它们看成是枯燥无味的案牍工作。不要急急忙忙完成之后就把它们抛到一边,闲暇的时候可以把手上的文件拿来好好的学习,你可能没有参与这些文件的制订,但在你细细研读之后,工作中的实际做法、行业惯例也会成为你经验的一部分,让你在将来的求职中打动面试官。

除了行政类的工作,跟班也是许多人实习的主要内容。多数时候就是在一旁看着,不会被安排什么实质性的工作,有了什么成果也不会算在你头上,好像是什么也锻炼不了,也是被大部分人归到了“打杂”的行列,但这却是一个很好的学习过程。在这个过程中,你不再是如学校课堂学习那样识记理论知识,而是有人以现场示范的方式向你展示着理论在现实工作中的应用,展示着处理某类状况的方法。如果你能全程跟下来,并且用心的观察,积极的思考,你肯定会有所收获。如果你心不在焉,那么,你就错过了一次绝佳的学习机会,更忽略了一种重要的获得经验的方式。

这些简单工作不仅是学习的机会,也是展示自我能力的舞台,是通向我们所期望的更有挑战工作的跳板。实习单位不敢轻易把专业性强的复杂工作交给实习生,很大程度上是因为对实习生不了解,怕因此给单位带来不必要的损失。简单工作正好为你提供了这个让单位了解你的平台,在平时工作中可以很自然的展示你的工作态度和能力。本应该认真对待全力以赴完成的工作,但因为许多人一提到做这些简单工作就心存抵触,并以消极应付的方式来表达对这种安排的不满,由此表现出来的工作态度和完成质量必然是糟糕的,给别人留下的印象也是不好的。简单工作完成的出色,它就成为你接受更有专业技术含量工作的跳板,它就只是一个过渡。简单工作都做不好的人,别人很难相信他会把其他工作做好,也就自然不敢把复杂的工作交给他。不能重新认识实习中的这些简单工作,也就很难摆脱不当认识导致的消极态度和糟糕表现,以及由此带来的更多的简单工作,如此循环往复必定使你深陷其中,那么,简单工作就可能成为你实习生活的全部。

《半导体工业报告》（摘　要） 第9篇

一、半导体及相关产业展望

（一）行业概况

经过近两年的供应链能力的缩减、库存消化和压缩成本，估计2003年半导体工业将达到均衡，并恢复增长。但并非所有企业都能从中受益，半导体工业的兼并重组进程将继续。

1.电子系统销售可望增长

尽管整个终端市场需求仍然不旺，但《IC Insights》预测，2003年全球电子系统销售增长5％。PC和通信市场仍不明朗，有可能抑制行业强劲反弹。从长期来看，预计消费类产品市场可能是下一波“杀手级应用”的源泉，包括无线联网、家庭自动化或家庭娱乐等。

2.行业步入复苏的第二阶段

自2001年开始的半导体工业下降与以往不同。除了有生产能力过剩和全球GDP增长下降为因素，其基础更广，并且受到库存过剩的影响。但复苏已经开始。第一阶段是逐步消化过剩库存。第二阶段将依靠终端市场需求的强劲反弹。

3.销量增长，平均售价不涨，但库存降低提供了希望

销量连续数月增长，但价格持续疲软。在库存较低的情况下，终端市场需求兴旺将使半导体平均售价提高。

4.OEM调整重点，半导体供应商面临外包机遇

OEM公司将资源分流到硬件和软件，目前指望半导体供应商提供系统级和软件方案。这有利于提供标准方案和有强大系统级专有技术的公司。

5.一代设计公司被湮没

过去3年，OEM和供应商一级的计划大幅度削减，客户削减R&D预算，集中发展少数关键项目。

6.半导体公司的财务业绩仍很弱，但亏损风险下降

经过2年的成本削减，仍有许多企业在盈亏线下经营。其中许多公司要靠收入反弹以恢复盈利。

（二）漫长而艰难的复苏之路

半导体工业是全球电子产品供应链的一部分。订单通过供应链逐步往下传递。发生在供应链顶层的削减通常越到价值链下部影响越大。

1.原始设备制造（OEM）

（1）通信

通信服务商市场经历了大调整。电信公司将其设备投资削减到最低水平。估计2002年全球电信公司设备投资下降35％～40％，2003年再下降10％～15％。通信工业正处于收缩期，该收缩期以电信公司为起点，并影响到设备供应商和半导体供应商。

（2）个人计算机（PC）

PC市场已经成熟，发达国家的PC渗透率在50％以上。目前，需求的主要动力来自于更新。

（3）消费类电子产品

在数码相机和DVD播放机的引领下，消费类电子产品仍是行业亮点。估计游戏机市场是2003年的另一个增长领域。

2、半导体设备

2002年半导体设备投资与半导体销售明显背离，在IC销售增长1%的同时，半导体设备销售下降32%。这比2001年半导体设备投资下降41%有所好转。半导体设备投资从2000年高峰的480亿美元下跌至2002年的将近200亿美元。

3.印制电路板（PCB）

最近两年印制电路板行业步履维艰，特别是在北美。美国印制电路板制造市场估计继2001年下跌31%后，2002年再下降25%。

4.半导体销售

2003年，大部分市场研究团体估计全球半导体销售呈现正增长。从数量上看，半导体复苏已经开始，但价格仍疲软。在前沿能力偏紧的情况下，终端市场的需求反弹有可能在2003年下半年驱使价格走高。

5.兼并不可避免

半导体行业粥少僧多，过多的R&D在为数不多的“几个锅里争食”，收益很低，许多新企业注定只能“啃骨头”。不少资金实力雄厚的公司对兼并抱有希望。行业淘汰和兼并不可避免。

二、半导体的应用和行业增长动力

（一）半导体应用

自1948年世界上第一枚晶体管和1958年第一块集成电路（IC）问世以来，通过迅速创新，到2002年半导体工业发展成为1400多亿美元的行业。

（二）行业增长的动力：持续创新

最近10年，推动半导体增长的主要动力是通信和网络应用市场的不断创新。

（三）投放市场的时间是关键

半导体产品进入市场的时间至关重要。功能最全的产品不一定能赢得市场份额，迅速进入市场的差异化产品往往能够取胜。

（四）产业高度周期化

半导体工业经历了几个涨落周期，高速增长期后紧接着就是急剧下降。尽管半导体工业受到全球宏观经济形势的影响，但结构驱动因素（如PC普及率提高和全球通信基础设施建設）形成了强大的需求动力。

迄今大幅度下降大部分是由新增供应能力跟进造成的能力过剩引起。增加能力的决策通常是在高速增长期作出，一般都有几家公司同时增加设施。几年后一旦这些新能力建成，供应失衡必然导致利用水平降低和价格压力。

三、半导体制造业的发展趋势

（一）设计和加工

半导体的设计越来越复杂，每块电路的设计工作量不断增加。芯片设计采用自动化工具如CAD程序和EDA（电子设计自动化）。作为一般规律，设计对资本要求不高，但需要大量人才，而制造要求大量资本，但不要太多人才。晶片加工工艺极其复杂，设备和工具投资要几十亿美元。因此进入壁垒很高。

（二）技术发展趋势

随着产品生命周期和收益高峰期的缩短，具有先发优势的企业不仅在市场上的时间更长，而且有更大的能力来影响标准，获得关键的设计地位和合作主动权。

（三）经营模式的调整

1.垂直一体化瓦解

竞争加剧、资本密集度的迅速提高，迫使一体化元器件制造商(IDM)逐步缩小核心业务。

2.独立的纯委托加工厂和无工厂公司兴起

目前的晶片加工厂大概要几十亿美元的投资。能够负担得起这种投资水平的企业不多，所以出现了无工厂半导体公司。无工厂公司利用其知识产权资本，而不需要巨额的制造投资。

3.专业化的IP销售

IP许可业务模式使密集型的R&D，只要很少的资本投资或流动资金就可以产生很大的资金流动。

4.合作

由于巨大的资本要求和技术挑战加剧，企业正在探索新的风险分担方式。许多公司与过去的竞争者展开合作。

四、半导体元器件分类及市场概述

根据半导体工业协会（SIA）的划分，半导体市场的范围很广，从微处理器和存储器，到逻辑和模拟元器件。

五、通信和网络IC市场

（一）狂热的后遗症

历史上，PC工业是半导体需求的主要动力。1999年和2000年基础设施投资过热，服务提供商争相投巨资升级通信基础设施。当泡沫破灭时，行业面临的是需求下降和大量的库存。2002年，通信半导体下降到占市场总额的20%。

（二）网络应用半导体

网络应用半导体包括LAN芯片、接入IC，以及传输和交换IC。

（三）通信处理器和网络处理器

据IDC的数据，2002年通信处理器、网络处理器、协处理器和交换结构/背板半导体市场合计为10.4亿美元，比上年下降9%。预计2002～2006年，该市场将是增长最快的市场之一，增速可达18%，仅次于WLAN芯片组。

六、存储器的应用向网络扩展

存储器市场是资本高度密集型的和周期性的。但始终不变的是：交付的比特单位持续上升、存储器价格持续下跌以及新的应用不断要求更高的存储密度。目前，存储器IC的应用扩大到非PC产品，特别是通信和网络应用。在通信和网络设备中，光靠总线宽度不能解决所有问题，许多功能都要用存储器。随着网络速度的极大提高，存储器的存取速度非常重要。因此，内容可访问存储器（CAM）市场成为存储器和网络半导体供应商日益重要的领域。

七、图形半导体和芯片组

图形芯片的发展超越了摩尔定律，其性能每6个月翻番，而不是18～24个月。目前行业的大部分收入来自成熟的PC工业。2002年，整个PC图形市场估计在35亿～40亿美元。图形半导体发货量增长8%，达到1.88亿个。如果加上整个核心逻辑芯片组市场的收入，目前的市场规模估计为70～80亿美元/年。

（一）图型半导体市场趋势

1.竞争压力加大、利润缩减

2.设计和产品生命周期非常短

3.进入壁垒极高

4.集成图形和核心逻辑芯片组的兴起

5.新市场如移动和手持市场的发展

6.英特尔的参与竞争

（二）图形半导体的应用市场

目前图形半导体市场大部分针对台式机市场。鉴于PC市场的成熟度，半导体厂家更多关注以下新兴市场。

1.笔记本

笔记本市场的增长远高于台式机市场。这种趋势增加了对可靠、低功率图形芯片的需求。

2.工作站

这是一个为CAD/CAM专业人员和数字内容制作行业的专业人员服务的成熟市场，但平均售价和利润率更高。

3.游戏机

根据IDC的数据，2001年视频游戏机半导体市场估计为41亿美元，估计2002年增至45亿美元，市场潜力巨大。

注：（1）根据摩尔定律，半导体性能大约每18个月提高一倍。

（2）梅特卡夫通信定律认为，网络效应等于用户数的平方。

中国半导体知识产权年度报告 第10篇

2010-8-16 9:44:57

【字体： 】

目录

前言 3

一、2009年集成电路产业专利分析 5

1.1专利分析样本构成 5

1.1.1数据库选择 5

1.1.2检索方式 5

1.2设计类专利分析 6

1.2.1专利申请年度分布情况 6

1.2.2国内外年度专利申请对比 6

1.2.3国内申请主要省市年度分布 7

1.2.4IPC技术年度分布情况 8

1.2.5主要权利人年度分布情况 9

1.3制造类专利分析 11

1.3.1专利申请年度分布情况 11

1.3.2国内外专利申请对比 11

1.3.3国内申请主要省市年度分布 12

1.3.4IPC技术年度分布 13

1.3.5主要权利人年度分布情况 14

1.4封装类专利分析 17

1.4.1专利申请年度分布情况 17

1.4.2国内外年度专利申请对比 17

1.4.3国内申请主要省市年度分布 18

1.4.4IPC技术年度分布情况 19

1.4.5主要权利人年度分布情况 20

1.5测试类专利分析 21

1.5.1专利申请年度分布情况 21

1.5.2国内外年度专利申请对比 22

1.5.3国内申请主要省市年度分布 23

1.5.4IPC技术年度分布情况 24

1.5.5主要权利人年度分布情况 25

二、2009年集成电路布图设计专有权分析 27

2.1集成电路布图设计登记总体情况分析 27

2.1.1全国集成电路布图设计登记申请量年度分布 27

2.1.2全国布图设计登记省市排名情况 28

2.1.3重点地区、国家布图设计数量对比情况 29

2.1.4集成电路布图设计专有权的产品分布 30

2.22009年集成电路布图设计专有权分析 31

2.2.1集成电路布图设计2009年申请量统计 31

2.2.2布图设计2009年国内主要权利人情况 31

2.2.3布图设计2009年国外主要权利人情况 32

三、2009年中国集成电路产业知识产权分析总结 33

前言

当今世界，随着知识经济和经济全球化深入发展，知识产权日益成为国家发展的战略性资源和国际竞争力的核心要素，成为建设创新型国家的重要支撑和掌握发展主动权的关键。国际社会更加重视知识产权，更加鼓励创新。发达国家以创新为主要动力推动经济发展，充分利用知识产权制度维护其竞争优势；发展中国家积极采取适应国情的知识产权政策措施，促进自身发展。

2009年，国际金融危机对全球半导体市场造成了较大影响，我国集成电路产业亦首次出现了负增长。然而，在国家大力发展战略性新兴产业的大背景下，3G、无线宽带通信、半导体光伏、半导体照明、汽车电子等新兴领域正在迅速发展，所孕育的巨大市场，将使得我国IC产业在严峻的挑战面前觅得发展良机。随着《国家中长期科技发展规划纲要》确定的01、02等专项的实施和集成电路产业“十二五”规划的编制，国内的集成电路产业将迎来新一轮发展高潮。

为全面反映和总结我国2009年半导体产业知识产权发展态势，加强知识产权工作，促进我国集成电路产业发展，中国半导体行业协会知识产权工作部与产品创新专门工作委员会和上海硅知识产权交易中心在《中国半导体知识产权年度报告》（2009版）的基础上开展了编写《中国半导体知识产权年度报告》（2010版）的工作。希望通过这项工作，会员单位和行业能够以最快最便捷的方式，获得我国年度半导体知识产权的专利申请数量、国内外专利申请比较、按IPC（国际专利分类法）的专利分类、以及布图设计专有权等情况，作为工作参考。

编者二○一○年七月

一、2009年集成电路产业专利分析

1.1专利分析样本构成1.1.1数据库选择

本报告针对集成电路领域的中国专利进行检索，故所有专利数据来自国家集成电路行业专利数据库（国家知识产权局提供数据支持）。统计截止日期为2009年12月31日。

根据我国专利法的规定，国务院专利行政部门收到发明专利申请后，经初步审查认为符合本法要求的，自申请日起满十八个月，即行公布。国务院专利行政部门可以根据申请人的请求早日公布其申请。实用新型和外观设计专利申请经初步审查没有发现驳回理由的，由国务院专利行政部门做出授予实用新型专利权或者外观设计专利权的决定，发给相应的专利证书，同时予以登记和公告。

限于我国专利审查程序的规定，在2008年和2009年的专利申请中，一部分发明专利申请还未公开，很多实用新型专利申请还未通过审查，也未能公开。因此，由于专利制度的滞后性和专利公开的先后性，本报告中所指的2009年数据为所有公开日在2009年的专利申请，与各企业实际申请情况可能存在出入。

1.1.2检索方式

本报告将集成电路根据技术类别分成四大类：设计类、制造类、封装和测试类。通过关键字、分类号等字段组成相应的检索式。

需要说明的是，本报告2010版所用的检索表达式在此前基础上根据相关技术发展增加了检索关键字和国际分类号，故涉及历年数据统计的内容与2009年版相比可能存在误差。

1.2设计类专利分析

1.2.1专利申请年度分布情况

截至2009年12月31日，我国集成电路设计类的发明专利申请和实用新型专利共有59528件。其中发明专利申请有41562件，占69.9%，实用新型有17966件，占30.1%。

图1-1IC设计类专利年度分布情况

由图可知，宏观统计分析专利申请量历年的变化，从2001年至2005年，全国集成电路设计类专利申请量进入高速增长期，年增长率维持在30%以上。2006后逐渐放缓。

需要特别指出的是，2008至2009年的曲线下降可能是来源于中国专利的早期公开延迟审查，所以不能作为专利申请趋势的判定依据。

1.2.2国内外年度专利申请对比

2009年公开的设计类专利申请中，国内外共13135件。其中来自中国大陆的申请数量居首，为8323件，约占该类总量的63%。日本紧随其后，排名第二，数量为2640件，约占18%。美国和中国台湾分别有1190件和1018件申请，排名第三、第四，比例占8%左右。

图1-2中国IC设计类专利申请分布情况

由图可知，2005至2009年中国大陆（不包括港澳台地区）在中国集成电路设计领域的年度专利申请占总量的一半以上，且增长率较高，说明我国近年来在该领域的申请比例有了大幅提高。然而，美国日本等技术发达国家仍占据着中国专利申请的一定份额，同时，欧洲各国及韩国等也正在积极布置和建设专利体系。

从数据比较来看，专利国别分布并无明显变化趋势。但是美国和中国台湾申请所占的比例有一定上升。

1.2.3国内申请主要省市年度分布

图1-3IC设计类专利大陆省市分布情况

由图可以看出，按照申请人所属省市统计2009年设计类专利国内申请公开件数（不包括港澳台地区），申请量前三位的分别为广东、北京和上海。相比去年，虽然总体排名没有发生变化，但各省市之间的数量差距进一步缩小。往年来自广东省的专利申请量远高于其他省市地区，但09年前三位数据差距有一定缩小。排名靠前的省市也正是我国集成电路产业发展产业规模较成熟的地区，即珠三角地区、渤海湾地区和长三角地区。

1.2.4IPC技术年度分布情况

图1-4IC设计类专利IPC年度分布情况

从上图可以看出，2009年中国集成电路设计领域的专利主要集中在G06F9（程序控制装置），G06F13（信息或其它信号在存贮器、输入/输出设备或者中央处理机之间的互连或传送）的数量下降幅度较大，G05B19（程序控制系统）正在处于上升阶段。

1.2.5主要权利人年度分布情况

表1-1IC设计类权利人前十位排名情况

单位：件

专利权人 国家 09年专利件数 09年排名

中兴通讯股份有限公司 中国 216 1

松下电器产业株式会社 日本 180 2

华为技术有限公司 中国 179 3

高通股份有限公司 美国 153 4

三星电子株式会社 韩国 152 5

英特尔公司 美国 131 6

国际商业机器公司 美国 130 7

鸿海精密工业股份有限公司 中国台湾 113 8

NXP股份有限公司 荷兰 112 9

浙江大学 中国 103 10

上表为2009年中国集成电路设计类专利申请排名前十位企业。其中排名第一、第三和第十位的企业是中国企事业单位，分别为中兴通讯股份有限公司、华为技术有限公司和浙江大学。日本的松下电器产业株式会社今年上升至第二，韩国的三星电子株式会社排名下降至第五。美国有三家企业进入前十，分别为国际商业机器公司、英特尔公司与高通股份有限公司。另外还有1家荷兰企业：NXP股份有限公司和台湾企业鸿海精密工业股份有限公司。

1.3制造类专利分析

1.3.1专利申请年度分布情况

截止2009年12月31日，我国集成电路制造类的发明专利和实用新型共有58642件，其中发明专利申请55420件，约占94.5%，实用新型3222件，约占5.5%。

图1-5IC制造类专利年度分布情况

由图可知，宏观统计分析专利公开量近10年的变化，从2000年开始，全国集成电路制造类专利申请量逐年稳步上升，2002年之后出现快速增长的趋势。2006年开始增长率维持在15%上下。需要特别指出的是，2008至2009年的上升趋势放缓可能是来源于中国专利的早期公开延迟审查，所以不能作为专利申请趋势的判定依据。

1.3.2国内外专利申请对比

2009年公开的制造类专利申请中，国内外共9933件。其中来自中国大陆的申请数量居首，为3226件，约占该类总量的32%。日本紧随其后，排名第二位，数量分别为2537，约占26%。中国台湾有1298件申请，排名第三。

图1-6中国IC制造类专利申请分布情况

由图可知，中国集成电路制造领域的年度专利申请分布较为平均。与往年数据比较后可知，中国大陆申请人在近年有着数量上的显著提高，尤其在2008年在比例和数量上均首次超越日本。此外，中国台湾、韩国和美国也占据了一定比例，同时彼此之间相差不大。从2005至2009年这5年间看，2008年是国内制造类专利的转折点，除中国外制造类主要申请人所在国的增长率都开始进入负增长。国内企业应当抓紧机遇，积极参与同日本等技术强国之间的竞争。

1.3.3国内申请主要省市年度分布

图1-7IC制造类专利国内省市分布情况

由图可以看出，按照申请人所属省市统计2009年制造类专利国内申请（不包括港澳台地区），申请量前三位的分别为上海、北京和江苏。其中来自上海的专利申请量远高于其他省市地区，且排名较去年没有发生变化。说明上海在集成电路制造领域的技术优势较明显。

2009年全国各省市的国内申请分布与往年总量分布相比基本一致，该领域的国内申请分布格局没有发生较大变化。上海与国内其他省市仍保持一定差距。而除北京之外的省市国内申请数量都不足500条，且互相之间差距不大。但是也应当注意到的是，北京、江苏和广东等地正在迎头赶上，依靠政府扶持或产学研结合，该领域技术实力有所提升。

1.3.4IPC技术年度分布

图1-8IC制造类专利IPC年度分布情况

从上图可以看出，2009年中国集成电路制造类专利主要集中在H01L21（专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备）。此外G03F7（图纹面照相制版的专用设备）和H01L27（由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件）也有所涉及。H01L21始终是该领域专利较为集中的分类，相比去年H01L23（半导体或其他固态器件的零部件）的数量有所上升，可能是今后制造领域发展的重点。

1.3.5主要权利人年度分布情况

表1-2中国IC制造类主要权利人前十位排名情况

单位：件

专利权人 国家和

地区 08年专利件数 09年专利件数 08年

排名 09年

排名 排名

变化

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 中国 621 504 1 1 →

东京毅力科创株式会社 日本 283 328 2 2 →

东部高科股份有限公司 韩国 273 214 3 3 →

上海华虹NEC电子有限公司 中国 157 148 8 4 ↑

应用材料股份有限公司 美国 142 134 10 5 ↑

三星电子株式会社 韩国 258 130 4 6 ↓

松下电器产业株式会社 日本 132 123 12 7 ↑

海力士半导体有限公司 韩国 201 116 5 8 ↓

株式会社半导体能源研究所 日本 88 112 19 9 ↑

上海微电子装备有限公司 中国 118 112 14 10 ↑

上表为2009年中国集成电路制造类专利申请排名前十位企业。其中中芯国际集成电路制造（上海）有限公司排名第一，数量远高于其他申请人。东京毅力科创株式会社排名第二，与韩国东部高科股份有限公司一起保持了前三位置。韩国企业有3家，分别为东部高科股份有限公司、三星电子株式会社和海力士半导体有限公司，排名较去年有所下降。中国企业此次另有1家企业进入前10。

与往年数据比较后可知，该领域国内申请人之间的专利数量差距正在不断扩大。中芯国际集成电路制造（上海）有限公司已经具备参与国际技术竞争的实力。而其他国内申请人之间差距不大，但上海华虹NEC电子有限公司以及上海微电子装备有限公司为代表的上海集成电路制造企业发展快，基本赶超了该领域大专院校的申请数量。从申请件数来看，排名前十的国外申请人差距并不明显。与往年数据对比后可知，韩国企业在近年较为强势，已经逐渐赶上日本企业发展的脚步。中国台湾企业在该领域拥有一定的技术实力，但相比往年排名有所下降。我国企业可加强合作，力争突破。

1.4封装类专利分析

1.4.1专利申请年度分布情况

截至2009年12月31日，我国集成电路封装类的发明专利申请和实用新型专利共有21523件，其中发明专利申请有18507件，占86%，实用新型有3016件，占14%。

图1-9IC封装类年度分布情况

从图1-9中可看出，自1999年至2009年的10年间，IC封装测试类的专利申请始终保持着快速增长的势头，特别在04至07年，较往年申请数量有了飞跃式的提高。08年和09年仍有部分数据因滞后公开因素的影响还无法统计入库，故申请数量的下降并不表示申请趋势下滑。并且根据十年来申请数量的增长变化，可以预见到集成电路封装测试类专利申请在未来仍将保持蓬勃发展的态势。

1.4.2国内外年度专利申请对比

2009年公开的封装类专利申请中，国内外共3657件。其中来自日本的申请数量居首，为1431件，约占该类总量的39%。中国大陆申请997件，占该类申请总量的27%。中国台湾申请量为771，约占21%。韩国申请件为215，占该类申请总量的6%；与美国分别位居第四和第五位。其他国家和地区共申请44件，占申请总量的1.7%。

图1-10中国IC封装类专利申请分布情况

由图表可看出，2005至2009年日本在封装类专利申请始终占据领先地位，在全部公开的专利中的比例超过三分之一。中国大陆的申请数量较之往年也有较大幅度的增长并在2009年之前保持着40%以上的高增长率，中国台湾地区在2009年进入负增长，比例和数量均被中国大陆所超越。从趋势线来看，可以预见到，我国在该领域的技术竞争将日趋激烈，但中国、日本、中国台湾三强的局面短时间内不会有较大变化。

1.4.3国内申请主要省市年度分布

图1-11IC封装类专利国内省市年度分布情况

在全国各省市中，广东、江苏为国内IC封装类专利申请的前两位。上海和北京在数量上持平，分列第四、五位。浙江、福建和陕西在申请数量上基本相当。

从图中可以看出，在国内IC封装测试领域，省市间的发展非常不平衡，优势力量主要集中在长三角、北京和广东地区。其中上海和广东由于集中了国内众多优势企业，在研发和投入上都具备很强的实力，发展较之其他省份，占据更大优势。同时，各地区的竞争格局也处在变化中

1.4.4IPC技术年度分布情况

图1-12IC封装类专利IPC年度分布情况

从上图可以看出，2009年中国集成电路封装领域的专利绝大多数集中在H01L21（专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备）和H01L23（半导体或其他固态器件的零部件）中，其数量均超过了1500件。另外，H01L27（由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件）、H01L25（由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件）、H05K3（用于制造印刷电路的设备或方法）和H05K1（印刷电路）也有一定的数量。可见该领域专利的IPC分类相对较集中。

1.4.5主要权利人年度分布情况

表1-3中国IC封装类权利人前十位排名情况

单位：件

专利权人 国家和地区 08年专利件数 09年专利件数 08年排名 09年排名 趋势

东京毅力科创株式会社 日本 140 185 2 1 ↑

松下电器产业株式会社 日本 102 143 3 2 ↑

南茂科技股份有限公司 中国台湾 79 120 6 3 ↑

三星电子株式会社 韩国 85 55 5 4 ↑

友达光电股份有限公司 中国台湾 96 55 4 5 ↓

索尼株式会社 日本 33 49 19 6 ↑

精工爱普生株式会社 日本 41 48 14 7 ↑

北京京东方光电科技有限公司 中国 9 45 67 8 ↑

日东电工株式会社 日本 25 39 27 9 ↑

夏普株式会社 日本 31 38 21 10 ↑

在2009年集成电路封装专利权利人前十位中，日本企业占据了较大比例，与其在IC封装类申请总量上一样位居第一。中国台湾有两家企业上榜，分别是排名第三和第五位的南茂科技股份有限公司和友达光电股份有限公司。中国大陆的北京京东方光电科技有限公司一枝独秀，成为国内唯一进入前十的企业。韩国三星电子株式会社上升到第四位。

由表可知，日本企业在该领域实力雄厚，今年优势较为显著。超过了去年排名前两位的日月光半导体制造股份有限公司和南茂科技股份有限公司，专利件数之和就超过500件。

1.5测试类专利分析

1.5.1专利申请年度分布情况

截至2009年12月31日，我国集成电路测试类的发明专利申请和实用新型专利共有3295件，其中发明专利申请有2664件，占80.8%，实用新型有631件，占19.2%。

图1-13IC测试类年度分布情况

从图1-13中可看出，自1999年至2009年的10年间，IC测试类的专利申请保持着快速增长的势头，特别是从02年至08年，每年增长率保持在15%以上。08年和09年仍有部分数据因滞后公开因素的影响还无法统计入库，故申请数量的下降并不表示申请趋势下滑。并且根据十年来申请数量的增长变化，可以预见到集成电路测试类专利申请在未来仍将保持蓬勃发展的态势。

1.5.2国内外年度专利申请对比

2009年公开的测试类专利申请中，国内外共584件。其中来自中国大陆的申请数量居首，为321件，约占该类总量的55%。中国台湾申请100件，占该类申请总量的17%。日本申请量为87，约占15%。韩国共有26件，欧洲17件，分别位居第五和第六位。其他国家和地区共申请3件。

图1-14中国IC测试类专利申请分布情况

由图可看出，中国大陆的申请数量较之往年有较大幅度的增长，但结合增长率来看，中国大陆专利数量的波动幅度较大，中国台湾和日本在2006至2008年维持了较为稳定的增长态势。5年间前三位申请人所在国的排名已经发生了显著变化，可以预见到，我国在该领域的技术竞争将日趋激烈，国内企业在今后仍将大有作为。

1.5.3国内申请主要省市年度分布

图1-15IC测试类专利国内省市年度分布情况

在全国各省市中，广东、上海为国内IC测试测试类专利申请的前两位，北京和浙江在数量上较为接近。从图中可以看出，在国内IC测试领域，省市间的发展非常不平衡，优势力量主要集中在长三角、北京和广东地区。其中上海和广东由于集中了国内众多优势企业，在研发和投入上都具备很强的实力，发展较之其他省份，占据更大优势。同时，各地区的竞争格局也处在变化中

1.5.4IPC技术年度分布情况

图1-16IC测试类专利IPC年度分布情况

从上图可以看出，从2006年开始中国集成电路测试领域的专利绝大多数集中在G01R31（电性能的测试装置;电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置），另有部分集中在H01L21（专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备）、G05F1（从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值得偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值得自动调节系统）和G01R1（电测量仪器或装置的零部件）。可见该领域专利的IPC分类相对较集中。

1.5.5主要权利人年度分布情况

表1-4中国IC测试类权利人前十位排名情况

单位：件

专利权人 国家 08年专利件数 09年专利件数 08年排名 09年排名 趋势

中芯国际集成电路制造有限公司 中国 38 34 1 1 →

京元电子股份有限公司 中国台湾 9 21 13 2 ↑

上海华虹NEC电子有限公司 中国 22 16 2 3 ↓

东京毅力科创株式会社 日本 10 12 9 4 ↑

株式会社爱德万测试 日本 15 12 5 5 →

中茂电子(深圳)有限公司 中国 4 10 24 6 ↑

恩益禧电子股份有限公司 日本 3 9 34 7 ↑

松下电器产业株式会社 日本 10 7 10 8 ↑

重庆大学 中国 2 6 51 9 ↑

比亚迪股份有限公司 中国 4 6 25 10 ↑

在2009年集成电路测试专利权利人前十位中，国内企业占据了较大比例，在IC测试类申请总量上一样位居第一。日本有三家企业上榜，分别是排名第四、第五和第七位东京毅力科创株式会社、株式会社爱德万测试和松下电器产业株式会社。中国台湾的京元电子股份有限公司成为台湾地区唯一进入前十的企业。

二、2009年集成电路布图设计专有权分析

2.1集成电路布图设计登记总体情况分析

自《集成电路布图设计保护条例》实施以来，集成电路布图设计专有权已成为集成电路企业、尤其是设计企业的重要知识产权保护形式之一。

布图设计专有权的内容主要涉及复制权和商业实施权。具体来说，复制权是指专有权人对受保护的布图设计的全部或其中任何具有独创性的部分可以进行复制或许可他人复制；除法律另有规定外，未经权利人许可，任何第三人不得复制。商业实施权是指将专有权人受保护的布图设计、含有该布图设计的集成电路或含有集成电路的物品投入商业利用，包括为商业目的进口、销售、出租、许可实施或以展示或其他方式扩散布图设计，或禁止他人实施上述行为。

2001年10月1日至2009年12月31日，在中国登记公告的布图设计总计2434件（包括国外的企业和个人在中国登记的所有布图设计专有权），呈现逐年递增态势，较好地保护了布图设计专有权人的利益。

2.1.1全国集成电路布图设计登记申请量年度分布

自2001年10月1日至2009年12月31日已公告的全国集成电路布图设计登记总量达2434件，其中我国大陆企业及个人布图设计登记1714件（占总量的81.7％），港、台地区布图设计登记47件（占总量的2.2％，其中台湾43件，香港4件），国外布图登记336件（占总量的16.0％，其中包括美国188件、日本126件、南非8件、韩国9件、法国2件、加拿大3件）。2001年至2009年的7年间我国集成电路布图设计登记分布详见图。

图2-1全国集成电路布图设计专有权登记年度分布图

2.1.2全国布图设计登记省市排名情况

与其他省市相比，上海集成电路企业的集成电路布图设计专有权申请量占全国第一。截至2009年12月31日，上海集成电路企业布图设计登记数量达715件，占全部总量的34.1％。居全国第二、第三、第四的省市分别为：江苏省315件（占全国总量的15.0％），北京市205件（占全国总量的9.8％），广东省140件（占全国总量的6.7％）。上述排名前4位地区的集成电路布图设计专有权累计数量占国内申请总量的80%，地区优势明显。

单位：件

图2-2全国布图设计登记省市排名

从图2-2也可以看出，国内集成电路布图设计专有权的分布主要集中在长三角地区、环渤海湾地区和珠三角地区。这3个地区集成电路布图设计专有权累计数量已达国内各省市总量的80%，地区优势明显。

2.1.3重点地区、国家布图设计数量对比情况

单位：件

图2-3重点地区、国家布图设计数量对比

从上图2-3中可以看出，近几年来，上海企业集成电路布图设计申请量在稳步上升，2008年相较于2007年更是有了大幅增加,但在2009年有所回落。与此同时，美国、日本的企业开始逐渐重视在中国的集成电路布图登记，从2005年开始逐渐加大了在中国的申请力度。特别是美国的安那络公司（AnalogDevices）在中国已申请了145件布图登记，远超过任何一家国内企业的申请量。日本2008年新增的27件公开的布图登记有22件来自于三洋半导体株式会社一家企业。

2.1.4集成电路布图设计专有权的产品分布

已经登记的集成电路布图设计涉及的产品，按结构分类主要包括Optical-IC,MOS,Bipolar,Bi-MOS等。其中MOS所占比重最大，约占75％左右，其次是Bipolar，约占14％。

图2-4集成电路布图设计专有权的产品结构分布

2.22009年集成电路布图设计专有权分析

2.2.1集成电路布图设计2009年申请量统计

本节之前统计的全国集成电路布图设计量为自2001年10月1日至2009年12月31日已公告的全国集成电路布图设计登记总量。以下数据是国家知识产权局以2009年集成电路布图设计登记公告日为准提供的数据。由于相关权利人需要向国家知识产权局提出登记申请，经过审查登记后方可享有集成电路布图设计专有权。以下统计数据仅为当年公告量，并不是当年申请量。其中发证数量363件布图设计已经公告，补正案件需要修改，并通过审查，方能获得布图设计专有权，给予公告。当年成功获得专有权的数量应该以国家知识产权局网站上查到的公告量为准。

2.2.2布图设计2009年国内主要权利人情况

表2-12009年集成电路布图设计国内主要权利人分布

单位：件

国内 件数

无锡华润矽科微电子有限公司 21

杭州电子科技大学 20

大连连顺电子有限公司 18

成都华微电子系统有限公司 17

义隆电子股份有限公司 15

深圳中洋田电子技术有限公司 7

中电华大电子设计有限公司 6

苏州中科半导体集成电路研发中心 5

启攀微电子有限公司 5

上海南麟电子有限公司 5

从2009年国内布图设计权利人角度来看，上榜企业有了明显变化。不过整个长三角地区的数量没有下降。无锡华润矽科微电子有限公司09年公开量达到21件，排名第一。另外中国台湾也有一家企业进入前五。

2.2.3布图设计2009年国外主要权利人情况

表2-22009年集成电路布图设计国外主要权利人分布

单位：件

国外 件数

阿尔特拉公司 6

美国安那络公司 6

三洋半导体株式会社 4

美国思睿逻辑有限公司 3

国外申请的企业有4家企业，其中美国FPGA厂商阿尔特拉和从事大规模集成电路的设计和通讯网络产品的开发和技术服务的安那络公司均达到6件。

三、2009年中国集成电路产业知识产权分析与小结

3.1集成电路专利申请量继续增长

1985年--2009年期间，全国集成电路专利申请数量增长率很快。自2000年开始，专利申请年平均增长率超过40%，与国内集成电路产业的快速发展态势相一致。特别是2008年《国家知识产权战略纲要》的实施以及2009年《电子信息产业振兴规划》等政策的出台，包括新修订的专利法及其实施细则生效，国内企业对知识产权的重视和利用水平达到一个新的高度。

3.2国内外专利申请数量差距缩小，质量仍有显著差距

从国内外专利申请趋势来看，2009年最为突出的是IC设计类。尽管受专利早期公开延迟审查制度以及金融危机的影响专利总量出现下降，但大陆相比国外及港澳台地区所占比例已上升至60%。同时在美国、日本及中国台湾均遭遇负增长的情况下取得了年增长率4%以上的好成绩。以IC设计类为例，在全部发明专利中，大陆申请人拥有的发明专利所占比例为35%左右。这些数据充分说明了国内IC企业在全球不利形势下更加强调自主创新，充分利用我国扩大内需的一系列措施，有效整合价值链，以知识产权为制高点持续发展壮大。同时也要看到，我们申请的专利质量仍有显著差距。应当以国家知识产权战略和专利法修订为契机，逐步提高专利质量和发明专利的申请比重。

3.3主要申请人无明显变化，知识产权竞争加剧

地域性差异的主要原因在于申请人的数量差距不断扩大。设计领域的中兴通讯股份有限公司和制造领域的中芯国际集成电路制造（上海）有限公司都已经成为国内专利大户。无论从专利申请数量还是发明人数量，其他企业均难望其项背。

随着国内集成电路产业的已经走向了投资密集化和技术密集化的新阶段，国内外申请人的竞争也日益加剧，从排名趋势来看尤为明显。各领域前十位排名几乎都会出现不同程度的变化，并都有新的申请人进入榜单。

3.4各领域技术发展脉络更为清晰

从技术发展趋势来看，各领域都出现了一定程度的变化。如封装领域中，专利申请以H01L21（专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备）和H01L23（半导体或其他固态器件的零部件）为主要方向。而在测试领域中，G05F1（从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统）又可能成为新的技术发展方向。上述技术点可以为封装测试类企业研发和销售提供参考。

3.5集成电路布图设计发展态势良好

2009年我国集成电路布图设计继续保持良好的发展势头，申请量保持稳定增长。尤其值得一提的是，大陆企业及个人的布图设计登记始终保持着较高的比重。截至2009年大陆集成电路登记布图设计总数超过2400件。

3.6国内半导体企业积极着手知识产权国内外布局

根据世界知识产权组织(WIPO)最新发布数据，2009年全球PCT（专利合作条约）申请量排行榜中以7946件与同比29.7%的增幅，成为PCT申请第五大来源国。其中华为技术有限公司PCT申请量达1847件，排名全球第二。这一数据与国内集成电路国内申请人比例提高相呼应，反映了大陆半导体企业在重视知识产权的同时，正在谋求全球知识产权战略布局。随着华为等企业率先开始了“走出去”的专利战略，相信未来将有更多大陆企业在美国、欧洲、日本等国家取得专利权，从而转守为攻，在技术竞争中占得先机。

3.7集成电路知识产权将迎来又一轮发展高潮

据预测，2010年国内集成电路产业将在全球半导体产业复苏与国内内需市场继续保持旺盛的双重带动下实现较大幅度的增长。与此对应的是，集成电路除设计领域外各方向的专利申请也呈现持续上升的趋势。在机遇与挑战并存的复杂背景下，集成电路企业唯有加大对科技研发的投入、提高自主创新能力、系统实施知识产权战略、同时注重知识产权质量和效益，方能在激烈的国际竞争中脱颖而出，并为我国转变经济发展方式提供支撑，从而帮助我国实现提高知识产权创造、运用、保护和管理水平的战略目标。

附录：

上海硅知识产权交易中心分析报告一览

中国半导体知识产权分析报告

为加强知识产权工作，促进我国集成电路产业发展，我中心负责本报告的编写工作。通过这项工作，会员单位和行业能够以最快最便捷的方式，获得我国半导体知识产权的专利申请数量、国内外专利申请比较、按IPC（国际专利分类法）的专利分类、以及布图设计专有权等情况，作为工作参考。

集成电路知识产权现状调查与对策研究（美国）

该报告以美国集成电路领域的专利为研究对象，分别从年度分布、权利人分布和技术分类对其申请及保护状况予以深入研究分析，旨在掌握相关技术领域技术及专利的发展趋势，指导我国集成电路产业技术研发、专利国际化布局的方向。

高端通用芯片知识产权分析

以CPU、DSP和FLASH为切入点，总结了相关技术发展历程、发展状况和重点技术，分析了其在中国、美国和欧洲的专利申请情况，通过对专利申请趋势、类别、申请人状况以及最重要的核心专利的解读情况，来研究技术发展的主流方向和未来趋势，并对我国产业发展提出建议。

极大规模集成电路制造装备及成套工艺专利分析

该报告基于超大规模集成电路制造设备及成套工艺中的六大关键技术进行宏观分析，从国际专利申请趋势、国内专利申请趋势和上海专利优势三个角度进行分析与制图。主要分析角度包括年度申请趋势、权利人分布和IPC技术构成等，为上海地区在该技术领域的发展现状和未来趋势提供了参考和依据。

数字电视地面传输技术专利分析

该报告对数字电视信道收端技术模块进行专利检索、专利解读、专利分级，同时对覆盖技术标准的必要专利进行权项比对工作。项目成果不仅包括了专利等级分级统计表、专利权项与技术标准比对表、还分别建立了高级、初级数据库，包含了专利基本著录项数据、技术方案改写信息、专利权人生产产品信息等。

数字音视频标准专利分析

对MPEG-

2、MPEG-

4、H.264等国际音视频编解码标准专利池中的专利进行了的解读分析；并对AVS标准相关专利进行了全面检索。

TFT-LCD相关标准研究

本项目包括TFT-LCD国内外技术标准收集与专利信息提取分析工作。从研究制定相关标准的组织出发，统计分析了目前该相关标准的国内外状况。并以此为基础，获知标准内的专利信息并加以分析，技术标准中的专利现状及发展趋势。

TFT-LCD驱动电路知识产权分析

该报告完成了中国、美国TFT驱动技术总体专利技术分布状况，更进一步，通过对专利解读对专利进行技术方案的改写，从技术效果角度进行分类分析，分别设有改善色偏、提高响应速度、提供分辨率、降低功耗、防止干扰等10多个分类，并根据每个分类分别对中国、美国专利从十一个角度进行对比分析。

轨道交通电子专利分析

我中心通过和国内在轨道交通运行控制系统技术领先的申通地铁咨询有限公司合作，关注于列车运行控制系统这一核心技术，进行了知识产权分析，形成专利分析报告，对世界列车运行控制系统的应用研究状况作出了总结，并能对我国列车运行控制系统的技术创新开发具有指导性作用。

中国汽车电子专利态势年度报告

为配合我中心承办的中国国际汽车电子展会而进行了汽车电子专利态势分析工作，形成汽车电子专利态势报告。总结汽车电子知识产权发展现状并提出产业发展建议。

上海信息技术领域专利发展态势报告

该报告基本反映出信息技术在上海的发展现状，从技术角度反映了上海市信息产业整体的发展状况。同时通过专利申请所反映的发展趋势，折射出上海信息技术未来几年中的发展走势与方向。可以作为政府部门在出台信息技术领域相关扶持政策的参考依据，并为上海进一步实施信息技术产业的知识产权战略提供有力的支撑。