不带刀具的保证书

不带刀具的保证书（精选7篇）

不带刀具的保证书 第1篇

国旗下讲话《校园安全关乎你我他，不带管制刀具进校园》

湖滨路小学

余怡

各位老师、同学，大家好。

我今天国旗下讲话的题目是《校园安全关乎你我他，不带管制刀具进校园》。据了解，我国每年大约有1.6万名中小学生非正常死亡，中小学生因安全事故、食物中毒、溺水等死亡的，平均每天有40多人，也就是说每天将有一个班的学生在“消失”。上周五的班会上，许多同学一定听说了一则安全案例。为了防止和杜绝各类校园安全事故的发生，我班倡议全校师生做到以下几点：

一、活动安全记心上

有些同学在课间活动的时候冲跑，撞到低年级的同学，造成流血事件。有的同学在楼梯口玩耍容易滚下楼梯等等，这些都是非常危险的行为，都是不安全的活动。

二、交通安全不能忘

社会在发展，交通是越来越便利，但是交通安全的隐患也越来越突出。注意交通安全要做到：

1、了解交通规则，比如红灯停，绿灯行；

2、掌握基本的交通安全自我保护技能，比如过马路前，先要看清来往车辆；

3、从小养成良好的交通行为与习惯，骑车的同学还要注意经常检查自行车的车铃和刹车。

三、管制刀具不准带

（一）、什么是管制刀具呢？

1.匕首，即短剑或狭长的短刀；2.三棱刀，是一种三面有棱角的刀具；3.弹簧刀，是一种具有弹簧自锁装置的利刃，又叫跳刀； 4.各种尖刀，是指刀刃长度在8厘米以上的单刃或双刃尖刀。另外，无弹簧但有自锁装置的单刃、双刃刀和形似匕首但长度超过匕首的单刃、双刃刀，以及东洋武士刀，西洋军刺等都属于管制刀具。这些刀具我们小学生一般是不会带进校园，但有些同学带的美工刀，剪刀等也是具有一定危险性的，在使用时一定要注意安全。

2、为什么不能携带管制刀具呢？ 学生携带管制刀具的危害性在于： 一是由于玩耍而伤及自己或他人。

二是学生携带管制刀具，容易被不法分子利用，成为犯罪工具，危害公共安全。

三是由于携带管制刀具，助长了学生逞强好胜的心理，一旦与同学发生冲突，随身携带的管制刀具很可能成为实施犯罪的工具。

有这么一则案例，学生陈某，出于好奇，在地摊上买了一把弹簧刀。一天，他与同学小于一起去学校，途中二人因口角而扭打，身单力薄的陈某争不过身高马大的小于，情急之下，抽出弹簧刀向小于扎去。小于顿时血流如注，躺倒在地。陈某被依法追究刑事责任，被送入少年犯管教所服刑。

同学们，请自觉向班主任上缴你手里的管制刀具或其他危险品！同学们，我们的安全比学习还重要，请提高警惕，避免受伤害！

同学们，行动起来吧！让管制刀具等危险品不在我们身边，让管制刀具远离我们的校园！

最后，希望通过这次国旗下讲话，在全校形成一个“人人关心校园安全”的浓厚氛围。同学们，生命是美好的，生活是多姿多彩的，而要拥有这一切的前提是安全。所以我们一定要时刻加强安全意识，努力增强自我防范能力，作到警钟长鸣！

不带刀具的保证书 第2篇

1. 刀具半径补偿

(1）刀具半径补偿指令

(1) 刀具半径左补偿G41(如图1所示)。沿着刀具的前进的方向看(假设工件不动)，刀具位于工件轮廓左侧的半径补偿。

(2) 刀具半径右补偿G42(如图2所示)。沿着刀具的前进的方向看(假设工件不动)，刀具位于工件轮廓右侧的半径补偿。

(3) 取消刀具半径补偿G40。

(2) 方法

在编程时, 使用非零的D##代码 (D01D32) 选择正确的刀具偏置寄存器号, 其偏置量 (即补偿值放在如图3相对应P的位置) 的大小通过CRT/MDI操作面板在对应的偏置寄存器号中设定。在粗加工时, 将补偿值设为D=R+Δ, 其中R为刀具的半径, Δ为精加工余量, 这样在粗加工完成后, 形成的工件轮廓加工尺寸理论上要比实际轮廓每边都大Δ。在精加工时, 通过测量值设定补偿值, 这样, 零件加工完成后, 即可得到实际加工轮廓, 如图3所示。

2. 刀具补偿值的设定

应用举例：

选用φ16mm的立铣刀来加工，如图4所示的零件外形轮廓。

编写的程序如下：

在粗加工开始前，先在图5所示的位置P中D01填入补偿值8.2，但实际操作过程中，会有很多因素影响零件的尺寸值。若通过千分尺测量所得读数为40.36mm，则这时需修改刀具补偿值为8.02mm，在进行精加工切削，即可保证零件的加工精度(以中值尺寸计算为准)。若通过千分尺测量的读数为40.43mm，则这时需修改刀具补偿值为7.985mm，再进行加工，即可达到尺寸精度。

3. 结语

在一般情况下，我们只要通过上述方法即可保证零件加工精度，而实际操作时，可能会遇到很多问题，但只要用同样的方法认真分析和仔细计算，就能确定合理的刀具补偿值。

参考文献

[1]赵正文.数控铣床/加工中心加工工艺与编程[M].中国劳动社会保障出版社, 2008.

[2]耿国卿.数控铣床及加工中心编程与应用[M].化学工业出版社, 2009.

[3]何平.数控加工中心操作与编程实训教程[M].国防工业出版社, 2006.

[4]高晓芳.刀具半径补偿功能及常见过切现象的规避[J].机械工程与自动化, 2008, (5) .

不带手机的约会 第3篇

约会是干什么？男女之事，无非涉及两大类别，生命本能与精神需求。先说本能。青春萌动，异性相吸，男女结合，生儿育女。这是正事，也是大事。没有这生命本能的需求，其他都成扯淡的事。除了本能，现代社会的新人们，从五四大时代到当下“小时代”，还讲个精神相通，情感相融，这就需要恋爱约会。中国的大文豪胡适，是新文化旗手，也是旧道德的楷模。新文化旗手，地球人都知道；旧道德楷模，全世界也惊讶———胡博士婚姻三句话：奉母之命成婚，进洞房之前还没有见过女方一面，婚后与缠小脚的太太厮守终身。胡适先生一生鼓吹自由民主，却在婚姻上克己复礼，也是无人能效仿的千古话题。胡适先生是个特例，中国新文化的一个个先行者和追随者，最早最鲜亮的行动纲领：生命诚可贵，爱情价更高，若为自由故，二者皆可抛。这首诗，大概是在中国传播最广的外国现代诗歌了，尽管用了五言旧体的形式改装了裴多菲，但装进了爱情和自由的烈酒，点燃了无数新青年的新生命啊。对于青年，新旧两个时代就这样界定了：父母包办与自由恋爱。父母包办的是活在旧世界的人，自由恋爱是走向新世界的人。

没有手机的时候，那时的人怎样谈恋爱？男女异性相吸，是本能，无须学习。但恋爱与约会，是精神生活，也就需要训练和学习，也就有异性伴侣生活的游戏规则。

男女相遇，互相钟情，写情书是常见的必修课。相恋的男女，除了青梅竹马、邻家相居，就在同一城市，也不能天天见面。写情书便是必修课。就像现在出国考托福、考雅思，因为对方不了解你的能力，只有托福雅思帮忙。情侣们在上一次约会与下一次约会之间，漫长的时间如何打发，无尽的相思怎么消化，写封情书一并都寄给对方。写情书事小，不算国家大事，只是关乎个人幸福。写情书就是“综合素质测评”，写作水平、才华大小、修养高低、感情深浅，手上一支笔，托付一张纸。于是在那个时代，爱情小说吃香，爱情诗疯传，舒婷一首《致橡树》，让多少痴情男女抄写？两次约会之间漫长的时间，就在期待和书写训练中度过。青春的荷尔蒙，转化为期待中的想象，想象中的文学情书训练。幸福是什么？谁也说不清，但幸福感是什么？我知道。幸福感就是期待，就是期待中对幸福降临的各种想象！写信，收信，等电话，就是在同一城市，也要两三天，这两三天的心啊，就是两字：思念。换成三字，单相思。

等相见、等信、等电话都是甜蜜酿造过程。没有手机的时代，恋人约会，常常是鸿雁传书。柔情蜜意的表达后，要紧的是相约下一次见面的时间地点。因此，恋爱中的人，等待是幸福而甜蜜的系列过程，先等到约会后的情书，读完情书后，最后的一行约定又将幸福推向下一段等待。进入有线电话时代，电话往往带来惊喜。在没有手机的时代，电话也是奢侈品。一个大杂院，大门口有一部传呼电话。一幢宿舍楼，一层楼有部公用电话。一个机关，一个处室有部办公电话。恋爱中的人们，总会利用可能用到电话的机会。刚收到的情书最后有一句：“星期三4点到5点我给你打电话。”办公室不用专门守，省劲，但也有不省心的时候，偏偏这4点到5点，领导叫去谈话，眼睛盯着领导的嘴，耳朵支着听办公室的电话响没响。什么叫心不在焉？就这。耳朵听见电话响了，忙对领导说：“对不起，闹肚子！”捂着肚哈着腰就奔电话去！小区门口等，招眼，进进出出的阿姨叔叔们都看见你，快嘴的还来一句：“又等电话啦？还是那姑娘？”最惨是守大马路上的公用电话，偏偏这4点到5点，用电话的人多，甚至还排上了队，这就让你想骂人了，骂老天爷，老天爷让约会不成！这个约定时间等电话的心情啊，叫热锅上的蚂蚁，热恋的热度在这个时候自己最有体会。等信，等电话，最后在约会地点等人，甜蜜、焦急、祈祷、轮流在心里涌动，直到那个人的身影出现！幸福是可以衡量的，幸福的长度就是长长短短的等待时光。所以，在手机出现前的时代谈过恋爱的人，心底收藏的幸福，一定是那些等待的日子。

等人。说好了时间，说好了地点。到时候早早到了，等吧。一次长相思，快到终点了，让人高兴的事。想了一个星期的人影儿，快要变成一个实在的大活人了，伸着脖子张望总觉得时间走得慢。等上了是晴天。等不上了也是可能的，黄了？出事了？忐忑不安的日子怎么过？有时也会有事故，等上了的甜蜜过了也忘了，有事故的约会一辈子忘不了。记得和妻子约会在“玉龙街公交站”，结果过了两小时还没有等到人，垂头丧气回家生闷气。好在我们在一个大院里上班。见面一问，才知道这个玉龙街是三岔口，有两个公交站，我们各自守着一个站台傻等。在没有手机的时代，情人相聚，互相倾诉，有说不完的话。恋人定义之一，就是心里话想倾诉又能倾诉的对象。在两人上一次约会后所发生的一切，有多少事可说？又有多少事可问？这里有个“设定”，就是对方将会是世界上最能接受自己倾诉的人。无论将来的情形是否真的心心相印，恋爱中的人们都沉浸于倾诉的快乐之中。在手机出现之前，人与人之间最理解的沟通方式———促膝交谈。能促膝者的最好状态，互相热恋！

没有手机的约会，是一次次“爱情游戏规则”的训练：思念、等待、守候、盼望、原谅、理解、交流、倾诉……这些让两个陌生人变成亲人的必要元素，在一次次热望和一次次焦虑，一次次失望和一次次守候之后，这些元素变成共有财富，那个以前与你毫无关系的人就成了你感情世界的全部。没有手机的约会，只能带上一颗心去。有人会说，你讲得太“柏拉图”精神化了，难道恋人不想更亲近？当然，没有手机的时代，也是住房紧张并且物质紧缺的时代，想在一起吗？家里没条件，大街上没地方，住店男女“请出示结婚证”。想再近一步的人们，紧赶慢赶地去办证，于是恋爱便成了婚姻的热身动作和必然前奏。

有了手机的年轻人真幸福啊。约会多方便，也不用写情书，更不用心急火燎地盼邮递员了。心里想了，先摸手机；想说点什么了，先打手机；想一起吃饭了，先看手机；两个人到一起了，该说点啥？还是手机……啊，现在好了，没有我们那时候的约会之苦，手机领着人们快乐而便捷地约会。没有手机的约会在今天几乎不可想象。带上手机！谁在提醒你。你笑着说，不会忘的！只是，要带上一颗心，有人会忘了，可惜也没有人提醒。手机时代的爱情更丰富多彩，只是一些“用户”，删去了几项爱情“价更高”的项目：期待、想念、等候、理解、倾诉……

责任编辑：黄艳秋

不带刀具的保证书 第4篇

1 资料和方法

1.1 一般资料

本组9 例, 男7 例, 女2 例;年龄18～25 岁, 平均20 岁。机器绞扎伤4 例, 挤压伤3 例, 砸伤2 例。其中拇指Ⅲ度缺损2 例, 拇指Ⅳ度缺损2 例, 拇指皮肤撕脱伤3 例, 其中1 例合并虎口及掌背桡侧皮肤坏死, 拇指再植术后坏死2 例。亚急诊再造5 例, 择期再造4 例, 带足背皮瓣的足母趾甲皮瓣移植5 例, 足母趾甲皮瓣移植4 例。

1.2 手术方法

手术在臂丛阻滞及硬膜外麻醉下进行。根据受区设计带或不带足背皮瓣的足母趾甲皮瓣移植。按常规切取足母趾甲皮瓣, 皮瓣不带趾骨末节, 保留足母趾趾骨的完整。本组第一跖骨背动脉属GilbertⅠ型2 例, GilbertⅡ型6 例, Gilbert Ⅲ型1 例。对拇指缺损的病例取适当长度的髂骨作为骨支架, 再造拇指仍以其原有的肌腱作为动力, 将皮瓣断蒂后移植再造拇指。其余病例均直接将皮瓣移植于手部包裹拇指创面再造拇指, 吻合血管、神经和肌腱。供区行中厚皮肤移植覆盖, 局部使用甲壳胺人工皮膜, 以促进创面愈合。

2 结果

9 例再造拇指全部成活, 经随访1～6年, 再造拇指外形美观, 对指活动灵活, 再造拇指抓、握、捏有力, 两点辨别觉8～12 mm, 患者对再造拇指均满意。供区足母甲皮瓣切取后植皮大部分成活, 部分病例遗留创面经甲壳胺人工皮膜局部使用后愈合。足母趾均保留了全长, 无供区破溃及疼痛病例, 术后对供足的站立行走及负重功能无明显影响。典型病例图片见图1～4。

3 讨论

外形与功能并重, 按照“缺多少, 补多少”的原则进行修复。1980年Morrison[1]首次采用足母趾甲皮瓣再造拇指以来, 该方法已广泛应用于临床。足母甲瓣移植再造拇指外形美观、功能良好, 且供足足趾数目不减少, 是理想的拇指再造方法。本组均为18～25 岁的患者, 对再造拇指的外形要求高。因此, 术前需精确测量健侧拇指长度与周径, 对供足准确设计, 术中精细操作, 以达到再造拇指外形美观的要求。本组9 例再造拇指外形逼真, 患者均满意。

重视供区的处理。本组9 例均未咬除末节远端趾骨, 保留了供足足母趾趾骨的完整性, 经植皮后获得了良好的外形, 对供足功能影响小, 更符合“受区修复重建好, 供区破坏损伤小”的组织移植原则。以足母趾为供区切取游离组织瓣后若处理不当, 可能造成供区创面长期不愈合, 尤其容易发生在足母趾甲皮瓣切取后供区创面植皮失败[2]。传统方法是去除末节趾骨, 将保留的胫侧皮瓣覆盖趾骨外露骨面后再取全厚皮片移植, 这样可使植皮片一期成活而减少足部瘢痕, 从而减少疼痛, 改善患者行走功能[3]。但这样足母趾末节缺损, 外形及功能受到一定影响, 不易被患者接受。王东等[4]采用第二跖背动脉逆行岛状皮瓣修复足母趾甲瓣切除后的创面, 该术式增加了手术操作步骤, 而且在切取带足背皮瓣的足母趾甲皮瓣时受到一定限制。亦有报道采用第二足趾皮肤覆盖修复足母趾甲皮瓣切取后遗留的创面, 这样损伤了一个足趾, 又丧失一个足趾, 对供足影响较大, 也不易被患者接受。我们的体会是, 术中应保留适当宽度的足母趾胫侧舌状瓣, 保留足母趾趾骨全长, 仔细解剖分离甲床, 在甲床与骨膜之间解剖游离, 做到既不能损伤甲床, 也不能破坏骨膜, 这样才能保证术后供区植皮的成活和再造指甲的生长。供区采用中厚皮肤移植修复, 本组术后供区植皮大部分成活, 对供足植皮后残留部分创面的病例, 应用甲壳胺人工皮膜覆盖创面, 以促进创面愈合, 常规换药, 1周更换1次皮膜, 经更换2～4次后, 创面均良好愈合。不带趾骨的游离足母趾甲皮瓣移植再造拇指外形逼真, 功能恢复好, 疗程短, 术后供区无疼痛及破溃病例, 保留了供区趾骨及长度, 对供区外形及功能影响小, 患者易接受, 是治疗拇指皮肤撕脱伤、Ⅲ～Ⅳ度拇指缺损及再植术后拇指坏死补救的理想手术方法。

参考文献

[1]Morrison WA, O′Brien BM, Macleod AM.Thumb re-construction with a free neurovascular wrap-around flap from the big toe[J].J Hand Surg, 1980, 5 (7) :573-583.

[2]朱盛修, 张伯勋, 卢世璧, 等.趾甲皮瓣切取后存留趾端胫侧皮肤和创面植皮坏死原因探讨[J].显微医学杂志, 1985, 8 (4) :207-208.

[3]成红兵, 潘丞中, 侍德.游离趾甲皮瓣再造拇指的远期疗效[J].中华显微外科杂志, 1998, 21 (2) :105-108.

不带绳的木偶 第5篇

你需要：一张纸，一把剪刀，一个气球，干净、干燥的头发（如图）。

步骤

1. 剪几个小纸人，它们的身高最好都是3厘米（如图1）。

2. 吹起气球，扎紧口，把气球在头发上摩擦几下（如图2）。

3. 把气球被摩擦的那一面靠近这些小纸人，结果发现，小纸人被吸起来了，但当它们接触到气球，又掉下去，一会儿又被吸引上来，接触到气球又掉下去，像是在跳舞一样。你知道这是为什么吗？

原理

因为纸木偶带的是中性电荷，而气球带的是负电荷。当气球靠近纸人时，由于静电的吸引，纸人会被气球吸引得“站”起来；当这些纸人接触到气球时，它们也变成带负电的了，这时因为“同性相斥”，小纸人又会被推开，所以又倒下去了。几秒钟后，小纸人在空气中失去了负电，又变成中性的了，它就再次被吸引到气球上去。

想一想，如果改变实验条件，会发生什么现象：

1. 用大一点的纸人再试试上面的实验；

2. 用其它质地的纸人再试试上面的实验，如卫生纸、蜡纸、卡片纸、锡箔纸等；

3. 把气球在头发上多摩擦一会儿，再做同样的实验；

4. 用气球的另一面（未被摩擦的部分）去靠近纸人试试。

不带刀具的保证书 第6篇

LNG加液站目前常用的两种燃料供给方式分别为低饱和蒸汽压力方式和高饱和蒸汽压力方式。

所谓低饱和蒸汽压力方式是指LNG汽车在加液后,气瓶中的LNG气液共存空间的压力约为0.35MPa,然后再经LNG气瓶上配置的自增压系统,将气瓶压力增压至0.7-0.8MPa,以保证发动机常规天然气供气系统的进气压力范围要求。该方式可让LNG加注站的BOG (闪蒸汽)形成量降低,车载LNG气瓶的储存量增加。但该方式在LNG气瓶上配置了自增压系统,会导致车载LNG气瓶出现BOG现象,增设自增压系统使管路接头增多,对行车安全和节能降耗造成不利影响。

所谓高饱和蒸汽压力供给方式是指在LNG加注站通过调节LNG温度的方式,将LNG加注压力调节到发动机常规天然气供气系统的进气压力范围,即0.7-0.8MPa。这样,LNG车辆上就不必再增设自增压系统。这种方式因为加注站LNG的储存压力增高必然导致BOG现象增多,同时,由于车载气瓶内的压力较高,容易引起气瓶安全阀频繁动作,导致了天然气的无谓损失。

2 推荐一种新的LNG汽车低饱和蒸汽压力供给方式

该方式的技术关键在于选配一种标称工作压力与加注站0.35MPa低饱和蒸汽压力一致的发动机天然气供气系统,这样既不用加注站通过升温来提高加注压力,同时也省掉了气瓶上的自增压系统,这种方式的主要优点如下:

(1)可以大幅减少加注站和LNG车辆两处的BOG现象,从而提高了加注站和LNG汽车的安全性,并降低了天然气的排空消耗。

(2)可以在低饱和蒸汽压力下让LNG气瓶储存更多的燃料,增加LNG车辆的续驶里程。

(3)省掉了自增压系统,不但根除了该系统故障和燃料泄漏点,同时还节省了购置和维修费用。

3 实际运行案例

2014年冬季,成都公交集团快速公交干线上的一批18米LNG公交车出现了发动机动力不足,车辆爬坡无力甚至熄火的状况。通过调查,18米LNG公交车上均未配置自增压系统,LNG加注站采取的是低饱和蒸汽压力加注方式,加液后LNG车辆气瓶压力最低为0.3MPa,而LNG车上通常配置的供气系统工作压力范围为0.7-0.8MPa,属常规天然气供气系统标称压力范围,因气瓶压力与供气系统要求的工作压力存在很大差距,导致燃料流量不足使车辆在爬坡重负荷时出现发动机动力不足。当时的应急措施是让加注站将加注压力适当提高,发动机制造厂将天然气喷射装置警戒压力适当下调,并增加了喷嘴数量,实施后情况有所好转但未能彻底解决问题。后经技术研讨和攻关,确定换装工作压力与低饱和蒸汽压力相匹配的低压天然气喷射装置,同时调整优化了LNG燃料供给系统性能,最终圆满地解决了这个技术难题,在加液站采用低饱和压力加注方式下,18米LNG公交车得以正常运行。

不带刀具的保证书 第7篇

随着集成电路的发展, 一个高稳定、高精度的基准电压源变得越来越重要。特别是在D/A, A/D转换以及PLL电路中, 温度稳定性和精度之间关系到整个电路的精确度和性能。

当今设计的基准电压源大多数采用BJT带隙基准电压源结构, 以及利用MOS晶体管的亚阈特性产生基准电压源;然而, 随着深亚微米CMOS工艺的发展, 尺寸按比例不断缩小, 对芯片面积的挑战越来越严重, 双极型晶体管以及高精度电阻所占用的面积则成为一个非常严重的问题。

在此, 提出一种通过两个工作在饱和区的MOS管的栅源电压差原理, 产生一个与绝对温度成正比 (PTAT) 的电流, 利用这个电流与一个工作在饱和区的二极管连接的NMOS晶体管的阈值电压进行补偿, 得到了一个低温漂、高精度的基准电压源。

1PTAT电流的产生

两个工作在弱反型区的NMOS晶体管M1和M2的结构如图1所示[1]。

其输出电压Vo可以表示为:

$V{}_{\text{o}}=U{}_{\text{Τ}}\ln \left[1+\frac{(W/L){}_1}{(W/L)}{}_2\right]+\text{Δ}V(1)$

式中:UT=kT/q;k为波尔兹曼常数;ΔV表示实际中晶体管失配引入的误差, 是个常数, 这里忽略它的影响。由此得到:

$V{}_{\text{o}}=U{}_{\text{Τ}}\ln \left[1+\frac{(W/L){}_1}{(W/L)}{}_2\right](2)$

从式 (2) 可以看出, 工作在弱反型区的两个MOS管串联, 可以得到一个与温度成正比例关系的输出电压。

得到两个栅源电压差电路的主要思想如图2所示[2,3]。在这个电路中, 所有晶体管都工作在饱和区, 流过NMOS晶体管M1的漏电流[2,3]可以表示为:

${\rm I}{}_1={\rm K}{}_{\text{Μ}{}_1}\left(\frac{W}{L}\right){}_1\frac{V{}^2}{\left(1-\sqrt{m}\right){}^2}(3)$

式中:$m=\frac{(W/L){}_1}{(W/L){}_2}/\frac{(W/L){}_3}{(W/L){}_4}$;KM1是由温度决定的倍增因子, 后面将对其温度特性进行讨论。

对于NMOS晶体管M1和M2, 其栅源电压分别为Vgs1和Vgs2, 那么图3中电压为:

$V=V{}_{\text{g}\text{s}1}-V{}_{\text{g}\text{s}2}(4)$

如果利用前面提到的两个工作在弱反型区的MOS管输出电压特性来控制两个工作在饱和区的NMOS的栅极电压Vgs1和Vgs2, 使得:

$V=V{}_{\text{g}\text{s}1}-V{}_{\text{g}\text{s}2}=\lambda U{}_{\text{Τ}}(5)$

式中:λ为比例常数。

将式 (5) 代入到式 (3) 可得:

${\rm I}{}_1={\rm K}{}_{\text{Μ}{}_1}(W/L){}_1\frac{\lambda U{}_{\text{Τ}}^2}{(1-\sqrt{m}){}^2}(6)$

对于参数KM1, 它主要受晶体管迁移率λ的影响, 通常被定义为:

${\rm K}={\rm K}{}_{300{\rm K}}\left(\frac{{\rm T}}{300{\rm K}}\right){}^{-\alpha }(7)$

式中:T为绝对温度;α由工艺决定, 典型值为1.5。将式 (7) 代入式 (6) 可得:

$\begin{array}{l}{\rm I}{}_1={\rm K}{}_{300{\rm K}}\left(\frac{{\rm T}}{300{\rm K}}\right){}^{-\alpha }\left(\frac{W}{L}\right){}_1\frac{\lambda (k{\rm T}/q){}^2}{(1-\sqrt{m}){}^2}(8)\\ {\rm I}{}_1={\rm K}{}_{300{\rm K}}\left(\frac{1}{300{\rm K}}\right){}^{-\alpha }\left(\frac{W}{L}\right){}_1\frac{\lambda (k/q){}^2}{(1-\sqrt{m}){}^2}{\rm T}{}^{2-\alpha }(9)\end{array}$

将式 (9) 简化为:

${\rm I}{}_1=\chi {\rm T}{}^{2-\alpha }(10)$

若取α的典型值为1.5, 那么I1=χT0.5 在式 (10) 中:

$\chi ={\rm K}{}_{300{\rm K}}\left(\frac{1}{300{\rm K}}\right){}^{-0.5}\left(\frac{W}{L}\right){}_1\frac{\lambda (k/q){}^2}{(1-\sqrt{m}){}^2}$

它为一个与温度无关的常数。

通过上面分析可知, 此方法可以得到一个与绝对温度成正比 (PTAT) 的电流I1。具体实现电路如图3所示。

图3电路中, M3～M6四个PMOS晶体管工作在饱和区, 它们的宽长比相同。M1和M2两个NMOS晶体管工作在饱和区, 它们的宽长比为 (W/L) 2/ (W/L) 1=m。通过调节电路, 使得M7～M10四个NMOS晶体管工作在深线性区。现在讨论电路的工作原理。

对于X点和Y点的对地电压, 可以分别表示为:

$\begin{array}{l}V{}_{\text{X}}=V{}_{\text{g}\text{s}1}(11)\\ V{}_{\text{Y}}=V{}_{\text{d}\text{s}10}+V{}_{\text{g}\text{s}2}(12)\end{array}$

由图1和式 (2) 的结论可以得出:

$\begin{array}{l}V{}_{\text{X}}-V{}_{\text{Y}}=V{}_{\text{d}\text{s}8}=U{}_{\text{Τ}}\ln \left[1+\frac{(W/L){}_7}{(W/L){}_8}\right](13)\\ V{}_{\text{Y}}-V{}_{\text{g}\text{s}2}=V{}_{\text{d}\text{s}10}=U{}_{\text{Τ}}\ln \left[1+\frac{(W/L){}_9}{(W/L)}{}_{10}\right](14)\end{array}$

将式 (11) 、式 (12) 、式 (14) 代入式 (13) 可得:

$\begin{array}{l}V{}_{\text{g}\text{s}1}-V{}_{\text{g}\text{s}2}=U{}_{\text{Τ}}\ln \left[1+\frac{(W/L){}_9}{(W/L){}_{10}}\right]+\\ U{}_{\text{Τ}}\ln \left[1+\frac{(W/L){}_7}{(W/L){}_8}\right](15)\end{array}$

通过式 (5) 和式 (15) 可以看出, 在这个电路中, 式 (5) 的系数:

$\lambda =\ln \left[1+\frac{(W/L){}_9}{(W/L)}{}_{10}\right]+\ln \left[1+\frac{(W/L){}_7}{(W/L)}{}_8\right]$

它是一个仅与器件尺寸有关, 而与温度无关的常数。

通过式 (9) 和式 (10) 可知, 此电路可以产生一个与绝对温度成正比的电流。

2基准电压的产生

对于一个工作在饱和区的二极管连接NMOS晶体管, 如图4所示, 它的Vgs=Vds, 流过它的饱和漏电流[4,5]为:

${\rm I}{}_{\text{d}}=(1/2)\mu {}_{\text{n}}C{}_{\text{o}\text{x}}(W/L)(V{}_{\text{g}\text{s}}-V{}_{\text{t}\text{h}}){}^2(16)$

由式 (16) 可得:

$V{}_{\text{g}\text{s}}=\sqrt{2{\rm I}{}_{\text{d}}L/(\mu {}_{\text{n}}C{}_{\text{o}\text{x}}W)}+V{}_{\text{t}\text{h}}(17)$

对于MOS管的阈值电压Vth, 它的一阶近似表达式可以表示[6,7]为:

$V{}_{\text{t}\text{h}}=V{}_{\text{t}\text{h}0}-\alpha {}_{\text{V}\text{Τ}}({\rm T}-{\rm T}{}_0)(18)$

式中:Vth0为MOS管工作在绝对零度时的阈值电压;αVT为一个与温度无关的常数;T-T0为温度变化量。

对于一个MOS管的迁移率μn:它的大小可以表示为[8]:

$\mu {}_{\text{n}}=\mu {}_{\text{n}0}({\rm T}/{\rm T}{}_0){}^{-m}(19)$

式中:μn0为绝对温度时MOS管的迁移率值;T0为绝对零度;T为温度变化量;m为比例变化因子, 它的典型值为1.5。

令式 (10) 中I1为式 (17) 中的Id, 即:I1=Id, 将式 (10) 、式 (18) 和式 (19) 代入式 (17) 整理可得:

$\begin{array}{l}V{}_{\text{g}\text{s}}=(2\chi L/{\rm T}{}_0^m\mu {}_{\text{n}0}C{}_{\text{o}\text{x}}W){}^{1/2}{\rm T}{}^{(2+m-\alpha )/2}+V{}_{\text{t}\text{h}0}-\\ \alpha {}_{\text{V}\text{Τ}}({\rm T}-{\rm T}{}_0)(20)\end{array}$

式 (20) 对温度T进行微分可得:

$\begin{array}{l}\frac{\partial V{}_{\text{g}\text{s}}}{\partial {\rm T}}=\frac{(2+m-\alpha )}{2}\cdot \\ (2\chi L/{\rm T}{}_0^m\mu {}_{\text{n}0}C{}_{\text{o}\text{x}}W){}^{1/2}{\rm T}{}^{m-\alpha /2}-\alpha {}_{\text{V}\text{Τ}}(21)\end{array}$

从式 (21) 可看出, 如果适当调节晶体管的宽长比W/L, 使得∂Vgs/∂T=0, 即:

$\frac{(2+m-\alpha )}{2}(2\chi L/{\rm T}{}_0^m\mu {}_{\text{n}0}C{}_{\text{o}\text{x}}W){}^{1/2}=\alpha {}_{V\text{Τ}}$

便可以得到一个高精度、与温度无关的Vgs, 即Vref=Vgs=Vds。此思想设计的具体实现电路如图5所示。

对图5进行分析, NMOS晶体管M1和M2通过Vgs1和Vgs2产生漏电流Id1, 再通过电流源M3和M7, 使得它流入二极管连接的NMOS晶体管M12, 产生一个基准电压源Vref。在图5中, M3～M7五个晶体管尺寸相同, M1和M2晶体管的宽长比比例为1∶m。式 (21) 中的W/L为图5中二极管连接M12管的宽长比。

3仿真结果

对图3PTAT产生电路进行仿真, 可以得到图6仿真结果。

从图6仿真结果可以看出, 流过M1管的漏电流与绝对温度成正比, ∂I/∂T⧋0.6。

对图5基准电压源电路进行仿真, 可得如图7所示结果。通过对图7分析可知, 在25 ℃时, 基准电压源的电压约为1.094 04 V, 在整个温度范围 (-40～80 ℃) 内, 其温度漂移系数为6.12 ppm/℃, 满足高精度基准电压源的设计要求。

4结语

在此, 基于SMIC 0.18μm CMOS工艺, 采用一阶温度补偿作为基准电压补偿, 提出一种新颖的PTAT电流产生电路结构, 以对二极管连接的NMOS晶体管的阈值电压进行补偿, 得到一个高精度基准电压源。

该电路占用芯片面积小, 精度高, 可移植性强, 非常适用于当今高精度的A/D, D/A和高精度运放偏置电路。此电路已成功应用于某款高速DAC芯片中。

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