2020年云南昆明理工大学材料科学基础考研真题A卷

2020 年云南昆明理工大学材料科学基础考研真题 A 卷一、名词解释（任选 10 个作答，每个 3 分，共 30 分）晶胞 配位数 肖特基缺陷 组织 孪晶 克根达尔效应 重构型相变 固相反应 弹性形变 N 型半导体 扩散通量 热压烧结二、简答题（共 11 题，任选 9 题作答，每题 6 分，共 54 分）1. 试从内部质点排列情况分析 SiO2晶体及 SiO2玻璃的结构及特点有何异同。2. 试说明间隙固溶体和间隙化合物有什么区别。3. 什么是柯氏气团，解释其引起体心立方金属的明显屈服现象。4. 金属铸件能否通过再结晶退火来细化晶粒?5. 试根据结合键的特点分析离子晶体及金属晶体的性质差异。6. 解释为什么铜和黄铜焊接件在高温环境中经一段时间后，在焊接点附近发生了断裂。7. 比较孪生与滑移的相同点和不同点。 8. 试从热力学的角度说明菲克定律的局限性。9. 简述液相烧结过程。10. 简要分析位错运动过程中碰到第二相颗粒时可产生那些情况。11. 简要分析包晶转变在非平衡冷却条件下产生的现象和原因。三、作图分析题（每题 10 分，共 30 分）1. 画出[SiO4]四面体共顶、共棱、共面连接示意图，并根据鲍林规则分析何种连接方式最稳定。2. 在简单立方晶胞中分别画出晶面(212)、(111)和晶向[212]、[111]，并分析在立方晶系中(hkl)和[hkl]的关系，同时写出{111}和<111>所包含的晶面和晶向。3. 判断下列位错反应能否进行？若能进行，试在晶胞图上画出各位错反应矢量关系图。（1）（2）四、计算及综合题（每题 12 分，共 36 分）1. 870℃和 927℃渗碳，两种温度下碳在 γ-Fe 中的扩散系数分别为 8×10-12和 1.67×10-11m2/s. (R=8.314J/mol·K)。 （1）求 D0（设 Q 在一定温度范围内为常数）？（2）若在 927℃下经 1×104s 后渗碳厚度达到 0.05mm，则经多长时间后，厚度增加一倍？2. 由 A 向 B 的液固相变中，单位体积自由焓变化△GV在 1000℃时是－4.18×108J/m3，在 900℃时是－20.9×108J/m3，设 A-B 间的界面能为 0.5J/m2，求：（1）在 900℃和 1000℃时的临界半径；（2）在 1000℃时进行相变时所需的形核功。3. 请根据 Si-Sr 二元相图分析下列问题：（1）写出所有的三相反应式；（2）分析 50wt%Sr 合金的平衡凝固过程，室温组织是什么；（3）假使要得到 50%的 Si2Sr 且不含单质 Si，合金成分应该是多少。